PROM：可编程程序只读存储器，但是只可以编写一次。
EPROM：可抹除可编程只读存储器，可重复使用。
EEPROM：电子式可抹除可编程只读存储器，类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。
SRAM：静态随机存储器，SRAM存放的信息在不停电的情况下能长时间保留，状态稳定，不需外加刷新电路，从而简化了外部电路设计。常作为Cache。
DRAM：动态随机存储器，DRAM与SRAM相比具有集成度高、功耗低、价格便宜等优点，所以在大容量存储器中普遍采用。DRAM的缺点是需要刷新逻辑电路，且刷新操作时不能进行正常读，写操作。常作为主存储器。
SDRAM：同步动态随机存取内存。就是DDR，被分为DDR1、DDR2、DDR3。
FLASH：是一种非易失性内存，闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。Flash分为nor flash和nand flash。
NOR FLASH：它的特点就是可以在芯片内执行，应用程序可以直接在闪存中运行，不必把代码读入系统RAM。在1~16M下的小容量有很高的的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。他的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样。
NAND FLASH：Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。