（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200810171401.8 （22）申请日 2008.08.29 （71）申请人 胜高股份有限公司
地址 日本东京都
（10）申请公布号 CN101377008A
（43）申请公布日 2009.03.04
（72）发明人 高梨启一
（74）专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司
代理人 闫小龙
（51）Int.CI
C30B15/26; C30B29/06;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
硅单晶提拉方法
（57）摘要
本发明提供一种硅单晶提拉方法，通过正
确地控制硅单晶的直径，能够得到结晶缺陷少的高质量的硅单晶。本发明的硅单晶提拉方法在提拉工序中，使用摄像装置对上述硅单晶进行摄像，测定按各图像扫描线测定由摄像装置所摄像的图像中的上述硅熔液和上述硅单晶的固液界面附近产生的高亮度带的亮度分布。并且，分别检
测硅熔液的液面位置和固液界面位置，基于液面位置和固液界面位置的差值即弯液面高度，控制提拉时的硅单晶的直径。
法律状态
法律状态公告日
2009-03-04 2009-04-29 2013-03-27
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
公开
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
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说明书
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