专利名称：氧化硅氮化硅叠层离子辅助蚀刻专利类型：发明专利
发明人：谭忠魁,向华,胡文兵,徐晴,傅乾申请号：CN201780063863.5申请日：20171009公开号：CN109983563A公开日：20190705
摘要：提供了一种用于在蚀刻室中离子辅助蚀刻交替的氧化硅层和氮化硅层的叠层的方法。使包含氟组分、氦和氟代烃或烃的蚀刻气体流入所述蚀刻室。在所述蚀刻室中使所述气体形成为原位等离子体。提供约10伏至约100伏的偏压以将氦离子加速到所述叠层并活化所述叠层的表面以形成活化表面，以进行离子辅助蚀刻，其中所述原位等离子体蚀刻所述叠层的所述活化表面。
申请人：朗姆研究公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：上海胜康律师事务所
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