专利名称：一种功率半导体模块及其制造方法专利类型：发明专利发明人：宗瑞
申请号：CN201210192843.7申请日：20120531公开号：CN102751246A公开日：20121024
摘要：本发明涉及一种功率半导体模块及其制造方法，该模块包括底板、半导体芯片、主端子、门极端子、辅助阴极端子和绝缘外壳，绝缘外壳中灌注环氧树脂封装，其特征是：所述主端子、门极端子和辅助阴极端子均与绝缘外壳模注为一体，且该主端子、门极端子和辅助阴极端子内端分别从绝缘外壳体内伸出，并延伸至与半导体芯片直接连接。其制造方法中采用主端子、门极端子和辅助阴极端子均与半导体芯片直接烧结连接，去除导电丝线焊接、使制造过程简化，生产效率显著提高，成本降低，产品可靠性增强。
申请人：宗瑞
地址：321400 浙江省缙云县东渡五东工业区浙江世菱电力电子有限公司内
国籍：CN
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