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一种功率半导体模块及其制造方法[发明专利]

来源:个人技术集锦
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种功率半导体模块及其制造方法专利类型:发明专利发明人:宗瑞

申请号:CN201210192843.7申请日:20120531公开号:CN102751246A公开日:20121024

摘要:本发明涉及一种功率半导体模块及其制造方法,该模块包括底板、半导体芯片、主端子、门极端子、辅助阴极端子和绝缘外壳,绝缘外壳中灌注环氧树脂封装,其特征是:所述主端子、门极端子和辅助阴极端子均与绝缘外壳模注为一体,且该主端子、门极端子和辅助阴极端子内端分别从绝缘外壳体内伸出,并延伸至与半导体芯片直接连接。其制造方法中采用主端子、门极端子和辅助阴极端子均与半导体芯片直接烧结连接,去除导电丝线焊接、使制造过程简化,生产效率显著提高,成本降低,产品可靠性增强。

申请人:宗瑞

地址:321400 浙江省缙云县东渡五东工业区浙江世菱电力电子有限公司内

国籍:CN

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