专利名称：磁性薄膜结构及其制造、使用方法和磁敏传感单
元、阵列
专利类型：发明专利
发明人：余天,张兆伟,徐延浩,申康琦,辛晨,刘雨果,潘锐,向钢,
张析
申请号：CN201510791648.X申请日：20151117公开号：CN105449096A公开日：20160330
摘要：本发明属于磁敏传感器制造领域。具体本发明涉及磁性薄膜结构及其制造、使用方法和磁敏传感单元、阵列。本发明提供的纳米磁性薄膜结构及三维磁敏传感单元或三维磁敏传感器，采用单一结构一次沉积成膜，仅一次微纳米图形加工就可获得集成三维磁敏传感单元和磁敏传感器，不仅具有加工简单、成本低的优点还大大提高了三维磁性传感器的集成度、器件稳定性和重复性，显著优于现有三维磁敏传感器的技术。
申请人：四川大学
地址：610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
国籍：CN
代理机构：四川力久律师事务所
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