专利名称：SiC MOSFET监测电路专利类型：实用新型专利
发明人：陈媛,贺致远,陈义强,侯波,刘昌申请号：CN202020967907.6申请日：20200601公开号：CN212586494U公开日：20210223
摘要：本实用新型涉及状态监测技术领域，公开了一种SiC MOSFET监测电路，包括采样模块，用于采集所述SiC MOSFET栅极的电信号；分析模块，与所述采样模块连接，用于将所述电信号与预设阈值进行比较，并根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。所述SiC MOSFET监测电路通过采样电路对所述SiC MOSFET的栅极电信号进行检测采集处理，并将采集到的电信号与预设阈值进行比较，根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。将本实用新型提供的所述SiCMOSFET监测电路应用在包含有SiC MOSFET器件的电路或系统中时，可以在不中断系统工作状态的情况下实现对所述SiC MOSFET器件状态的监测和老化失效预警，监测过程对系统正常工作的干扰小，且预测精度高。
申请人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
地址：511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：缪成珠
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