专利名称：一种SiC-MOS器件结构专利类型：实用新型专利发明人：姚金才,陈宇,朱超群申请号：CN201921548037.2申请日：20190918公开号：CN210805778U公开日：20200619
摘要：本实用新型公开了一种SiC‑MOS器件结构，包括自下而上依次设置的金属漏极、碳化硅N+衬底和碳化硅N‑外延层，所述碳化硅N‑外延层左上方和右上方均具有源极沟槽，所述源极沟槽下方自上而下具有碳化硅P+掺杂区以及碳化硅P型掺杂区，所述源极沟槽内均填充有肖特基接触金属，所述栅极沟槽内部及表面具有栅极结构，所述第一台面结构和第二台面结构均由碳化硅N‑外延层、碳化硅P型掺杂区和碳化硅N+源区构成。本实用新型可以调控肖特基势垒高度，以形成较低导通压降的肖特基接触，显著减小了电力电子系统体积，降低了封装花费，提高了系统应用可靠性，对基本性能及长久应用可靠性也有大幅提升，具有较低的比导通电阻，具有漏电低的特点。
申请人：深圳爱仕特科技有限公司
地址：518000 广东省深圳市福田区福保街道市花路5号长富金茂大厦22层2201-01
国籍：CN
代理机构：深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：霍如肖
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