专利名称：一种镍箔自沉积制源方法专利类型：发明专利
发明人：黄秋红,王玉学,郭冬发,王哲,刘立坤,胡小华,潘景荣申请号：CN201310496933.X申请日：20131022公开号：CN103526193A公开日：20140122
摘要：本发明属于自沉积制源技术领域，具体涉及一种镍箔自沉积制源方法。目的是将Bi、Po同时定量自沉积于镍箔。该方法包括以下步骤，选择HCl和NaCl溶液作为制源溶液介质；选择抗坏血酸作为还原剂；控制制源体积，控制制源温度、振动频率和振幅，以及控制制源时间，使Bi、Po沉积于镍箔。该方法可以实现双核素同时自沉积，且无需示踪，无需分离共存元素，自沉积回收稳定，沉积效率大于99%，沉积仅需60min，对干扰元素砷的允许量达到2000μg/g，而铜对砷的允许量达到600μg/g。
申请人：核工业北京地质研究院,核工业二四〇研究所
地址：100029 北京市朝阳区安外小关东里10号院
国籍：CN
代理机构：核工业专利中心
代理人：罗立冬
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