专利名称：用于通孔的CDSEM检测的对准标记及其制造方法专利类型：发明专利发明人：邓国贵
申请号：CN201810927274.3申请日：20180815公开号：CN109273432A公开日：20190125
摘要：本发明公开了一种用于通孔的CDSEM检测的对准标记，包括：形成于半导体衬底上第一金属层，在第一金属层上形成有金属对准标记，金属对准标记由对第一金属层进行刻蚀形成的金属线组成；金属线和第一金属层连接，长度边外侧为沟槽；在第一金属层的表面形成有第一层间膜，在第一层间膜的表面形成有由光阻经过曝光和显影形成的光阻图形，光阻图形中形成有光阻通孔和通孔对准标记；通孔对准标记包括多个且形成于金属对准标记的金属线的正上方。本发明还公开了一种用于通孔的CDSEM检测的对准标记的制造方法。本发明能防止在SEM的对准标记中产生电子积累并消除由电子积累而产生的对准失败的缺陷，能提高、测量的可靠性和提高产量。
申请人：上海华力集成电路制造有限公司
地址：201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：郭四华
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