三氧化钼薄膜的制备和结构研究

维普资讯 http://www.cqvip.com 第４８卷第５期　武汉大学学报（理学版）　Ｊ．Ｗｕｈａｎ　Ｕｎｉｖ．（Ｎａｔ．Ｓｃｉ．Ｅｄ．）　Ｖｏ１．４８　ＮＯ．５　Ｏｃｔ．２００２．５８９～５９２　２００２年１Ｏ月　文章编号：０２５３—９８８８（２００２）０５—０５８９—０４　三氧化钼薄膜的制备和结构研究　孙杰兵　，熊　锐　，王世敏　，汤五丰　，石　兢”，田德诚　（１．武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉４３００７２；　２．湖北大学化学与材料学院，湖北武汉４３００６２）　摘要：采用溶胶一凝胶法成功制备了三氧化钼（ＭｏＯ。）薄膜．首先，以ＣＨ。Ｃ（）ＣＨ　ｚＣ（）ＣＨ。．ＭｏＯ。，ＣｓＨｓＣＨ。　和ＨＯＣＨ　ＣＨ　ＯＣＨ。为原料合成三氧化钼溶胶和凝胶．凝胶的热重和差热分析（Ｔ　ＤＴＡ）显示三氧化钼的晶化　出现在５０８℃附近的１４０℃范围内．其次，利用旋转涂布法在硅（１１１）基片上通过４５０℃退火处理制备了三氧化钼　薄膜．ＸＲＤ和ＦＴＩＲ谱表明薄膜为ａ—ＭｏＯ。相．ＳＥＭ形貌像显示薄膜中晶粒分布均匀致密，在基片表面无择优取　向；晶粒尺度范围在０．５～１　ｐ－ｍ之间．　关键词：溶胶一凝胶；三氧化钼；薄膜　文献标识码：Ａ　中图分类号：Ｏ　４８４．１　火处理制备了三氧化钼薄膜．ｘ射线衍射谱　０　引　言　在过去的几十年里，许多过渡金属氧化物，例如　ＷＯ３［　，ＮｉＯ　［引，ＭｏＯ３和Ｖ２Ｏ５［　，因其良好的光　致变色和电致变色性能引起了人们极大的兴趣．其　中ＭｏＯ　薄膜所表现的某些更优良的变色效果，如　在可见光区的良好的吸收能力和良好的可逆变色　（ＸＲＤ）、傅立叶变换红外透射谱（ＦＴＩＲ）、扫描电镜　（ＳＥＭ）实验用来研究薄膜的结构和形貌．　１　实　验　１．１三氧化钼溶胶的制备　性，使其在高密度储存、大面积光显示、光调制装置　等方面有广阔的应用前景Ｅ５－７３．目前，三氧化钼薄　膜备受人们的关注，其制备方法已成为它走向实用　化的关键技术．　至今，很多制备ＭｏＯ　薄膜的方法被尝试，如真　空蒸镀法、溅射法、电解沉积法、凝胶一溶胶法　取１０　ｇ　ＭｏＯ　粉末（纯度≥９９．５　，上海胶体　化工厂）放入５０　ｍＬ已酰丙酮（ＣＨ。ＣＯＣＨ　ＣＯＣＨ。）中热回流３０　ｈ使其充分反应．　反应方程式如下：　ＭｏＯ３＋２ＣＨ　３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ　３一　ＭｏＯ２（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ２）２＋Ｈ２Ｏ　等Ｌ８　．比较而言，蒸镀法、溅射法技术较复杂，对　原料和设备要求高，电解沉积法属于电化学法，处于　尝试阶段；凝胶一溶胶法因其设备简单、便于控制、易　于大面积镀膜而受到广泛的研究Ｅ　。’　］．　本工作采用一种新的溶胶一凝胶工艺制备三氧　化钼薄膜．首先合成了三氧化钼溶胶和凝胶．对凝　胶的热重和差热分析得到ＭｏＯ。的结晶转变温度．　然后在硅（１１１）基片上采用旋转涂布法，经４５０℃退　将反应后得取的混合液体经过滤后加入到２５０　ｍＬ单甲苯（Ｃ　Ｈ　ＣＨ。）中出现已酰丙酮合钼酰　（ＭｏＯ２（ＣＨ。ＣＯＣＨ２　ＣＯＣＨ２）２）沉淀．在氮气（Ｎ２）　环境中过滤，然后将沉淀物放入约１．０×１０　Ｐａ气　压的烘箱中６０℃条件下烘干，从而得到蓝灰色已酰　丙酮合钼酰粉末．　称量４．９４　ｇ已酰丙酮合钼酰，加入到６０　ｍＬ已　收稿日期：２００２—０５—１３　十通讯联系人　基金项目：国家自然科学基金资助课题（５９８７２０２３）　作者简介：孙杰兵（１９７６一），男，硕士生，现从事低维材料研究　维普资讯 http://www.cqvip.com 武汉大学学报（理学版）　第４８卷　酰丙酮中．５０℃条件下加热溶液使粉末完全溶解　得到透明红棕色溶胶．然后在溶胶中加入２０　ｍＬ单　甲醚已二醇（ＨＯＣＨ。ＣＨ　ＯＣＨ。，纯度≥９９．５　，北　京化学制剂厂）作为溶剂和稳定剂．溶胶的浓度约　为０．１９　ｍｏｌ／Ｌ．　５５０℃下加热一定量的已酰丙酮合钼酰粉末８　ｈ使其完全分解，得到三氧化钼粉末，根据已酰丙酮　合钼酰粉末和三氧化钼粉末的量计算得到已酰丙酮　合钼粉末中钼的含量为２９．４　．这个值与分子式　ＭｏＯ：（ＣＨ。ＣＯＣＨ。ＣＯＣＨ。）。中钼的理论含量　２９．５　．ｏ４基本一致，从而证明了上面的化学反应式．　１．２凝胶的制备和ＴＧ－ＤＴＡ分析　为加速水解，３　ｍＬ氨水（６．５　ｍｏｌ／Ｌ）加入到５０　ｍＬ溶胶中．轻微加热溶液直至呈现胶体状．然后　放人真空容器中（Ｐ≈１　Ｐａ）搅拌，得到三氧化钼凝　胶．最后把凝胶置于氮气环境中在５５℃条件下加　热８　ｈ进行老化．　凝胶的热重和差热分析采用ＤＴ一３０Ｂ型分析仪　在氧气环境中进行．所测温度范围是２０￣７００℃．　升温速率为２Ｏ℃／ｍｉｎ．　１．３薄膜制备和结构形貌观察　实验中选用的镀膜基片是Ｓｉ（１ｌ１），尺寸为０．７　ｃｍ×１．０　ｃｍ×０．２　ｃｍ．首先对基片进行超声洗涤３０　ｍｉｎ（ＳＢ５２００型超声洗涤机）．然后将溶胶滴在固定　在Ｋｗ一４台式甩胶机上的基片上，以１　４００　ｒ／ｍｉｎ的　旋转速率旋转基片３５　Ｓ．再将滴胶的基片放人加热　炉中退火．炉腔中的温度先以２℃／ｍｉｎ的速率从室　温升至４５０℃，然后在４５０℃下恒温２　ｈ，最后将炉　膛温度自然降温至室温．控温装置为ＤＷＴ一７０２型　自动控制仪（误差±０．５℃）．升温和降温全过程　中，样品在动态氧气环境中进行．本实验中，这样的　甩胶一退火操作共重复ｌ０次以保证薄膜的厚度．由　基片截面的ＳＥＭ像估计，薄膜厚度约为０．８　ｍ．　薄膜的Ｘ射线衍射实验采用ＸＤ－３Ａ型Ｘ射线　衍射仪（ＳＨＩＭＡＤＺＵ）．Ｘ射线源为Ｃｕ—Ｋａ射线．操　作电压和电流分别为３５　ｋＶ和１０　ｍＡ．扫描角速率　为２。／ｍｉｎ．红外谱研究采用ＦＴＩＲ一８２０１ＰＣ型红外　谱仪（ＳＨＩＭＡＤｚＵ）．仪器分辨率为４　ｃｍ＿。，测量波　数范围为１　０５Ｏ～４００　ｃｍ一．薄膜表面形貌观察使　用Ｘ一６５０扫描电子显微镜（ＨＩＴＡＣＨＩ）．　２　结果与讨论　２．１　ＴＧ－ＤＴＡ分析　图１给出了三氧化钼凝胶的ＴＧ－ＤＴＡ曲线．其　中ＴＧ曲线为质量百分比（ｗ／　）随温度（Ｔ／℃）的　变化关系．ＴＧ曲线和ＤＴＡ曲线具有类似的４个　特征阶段，分别为２０～２００、２００～４２０、４２０～５６０、　５６０～７００℃．在２０～２００℃之间，凝胶的失重主要　来源于水和少量低沸点有机溶剂的蒸发．２００～　４２０℃阶段对应某些有机物如二氧化碳、氮化合物　的释放．从４２０￣５６０℃包含了在５０８℃处一尖锐的　峰．在５６０℃以上没有观察到失重现象．作者认为　４２０～５６０℃之间，随着有机物的进一步分解，在　５０８℃附近出现三氧化钼的晶化，薄膜的完全晶化　存在一个跨度为１４０℃的缓慢过程．　图１三氧化钼凝胶的热重和差热分析曲线　２．２　ＸＲＤ谱　所镀薄膜的Ｘ射线衍射图样如图２．与国际粉　末衍射联合会公布的Ｘ射线衍射卡片比较，此衍射图　出现与ａ相ＭｏＯ。一致的结果（卡片号：ＪＣＰＤＳ　５－５Ｏ８）．本文结果也与Ｊｕｌｅｉｎ等人　］采用蒸镀法制备　的薄膜的衍射结果一致，证明了所得薄膜为正交晶系　的ａ－ＭｏＯ３相．由图２中标出的与ＭｏＯ。晶面（Ｏ２Ｏ），　（Ｏ４Ｏ），（０６０）和（０８０）对应的衍射峰看出，ＭｏＯ。晶粒　在基片表面沿ＥＯｌＯ３方向择优生长．在二倍衍射角２　一２８．４。处的衍射峰来源于Ｓｉ（１１１）面的衍射．　７０　）　图２三氧化钼薄膜的ｘ射线衍射图　维普资讯 http://www.cqvip.com 第５期　孙杰兵等：三氧化钼薄膜的制备和结构研究　２．３　ＦＴＩＲ谱　２．４　ＳＥＭ形貌观察　图３为所得有膜Ｓｉ（１１１）基片和无膜Ｓｉ（１１１）基　薄膜的ＳＥＭ形貌照片如图４．可见晶粒致密　片的红外差减谱，即薄膜的红外谱，其中纵坐标和横　平铺在基片上，多为薄片状，晶度为０．５～ｌ　ｍ．表　面均匀较平滑，晶粒无择优取向．选择适当的基片　坐标分别为透射率（　）和波数（ｖ／ｃｍ　）．Ｋｉｈｌ—　ｂｏｒｇ等人［１　５］研究发现，口一ＭｏＯ。具有正交结构，畸变　的Ｍｏ０　八面体通过共边和共顶角连接成平面层，　平面层之间通过弱的相互作用耦合成三氧化钼．在　每个八面体内，１个端点氧原子（ｔｅｒｍｉｎａｌ　ｏｘｙｇｅｎ）　与钼原子成双键记为Ｍｏ－￣Ｏ㈩．２个氧原子被２　将有利于ＭｏＯ。晶粒的择优取向，提高薄膜性能，这　方面的工作正在开展之中．Ｗｕ等人［５ｊ利用ＭｏＯ。　・ｘＨ。Ｏ溶胶在Ｉｎ。Ｏ。基片上滴胶并进行４００℃热　处理，得到了球状三氧化钼晶粒．Ｃｏｍｉｎｉ等人［１。　选　用Ａ１。Ｏ。基片在５００℃下加热ＲＦ溅射法得到的薄　膜从而制备出针状三氧化钼纳米颗粒，并利用Ｍｏ　（ＯＣ。Ｈ５）　溶胶在Ａ１。Ｏ。基片上进行６００℃热处理　个钼原子（２个Ｍｏ０　八面体）共享，它们与钼原子成　桥键（ｂｒｉｄｇｉｎｇ　ｂｏｎｄ）记为Ｍｏ—Ｏ㈤．３个氧原子被　３个钼原子（３个ＭｏＯ　八面体）共享，它们与钼原子　也成桥键（ｂｒｉｄｇｉｎｇ　ｂｏｎｄ）记为Ｍｏ—Ｏ（ｚ　．此处氧　制备了连续致密的三氧化钼薄膜．与文献Ｅｓ］的结　果相比，此溶胶法制得的颗粒大小与其相当，但颗粒　原子的下标表示ＭｏＯ　八面体中不等价位置的氧原　子．对应上面３种成键方式，三氧化钼晶体中红外伸　缩振动存在３种模式：ｖＭｏ＝＝０（１），ｖＭｏ—Ｏ㈦和　ｖＭｏ—Ｏ（２）．Ｓｅｇｕｉｎ　Ｅｌ６］关于Ｍｏ０６八面体中钼氧伸　缩振动的一般解释是：一方面，钼原子质量相当于　氧原子质量的６倍，系统的振动主要来源于氧原子　形状不同．与文献Ｅ１２］的溅射法相比，本实验所得颗　粒尺寸较大，形状也不同．这些差别是由于制备方　法、热处理温度、基片和原料的不同所导致的．　的振动；另一方面，Ｍｏ０　八面体中钼氧键的键长变　化在０．１６７￣０．２３３　ｎｍ之间不等［１　，从而因其不等　价位置导致明显不同的氧振动模式。表１归纳了本　工作和文献［１６～１８］中红外振动频率及其模式定　位．可见，所有的数据是相近的，从而从红外振动模　式的角度上证明薄膜是ａ相ＭｏＯ。．　图４三氧化钼薄膜的ＳＥＭ形貌照片　３　结　论　利用溶胶一凝胶方法在硅（１１１）基片上制备了　ＭｏＯ。薄膜．ＸＲＤ和ＦＴＩＲ谱表明薄膜为ａ相ＭｏＯ。　晶粒．ＳＥＭ形貌照片表明基片表面的均匀致密颗　粒膜无择优取向，颗粒尺寸在０．５～ｌ　ｍ之间．　／ｃｍ　图３三氧化钼薄膜红外谱　表１　三氧化钼的红外伸缩振动频率与对应振动模式表　参考文献：　ｒ１］Ｃｏｒｄｏｂａ　ｄｅ　Ｔｏｒｒｅｓｉ　Ｓ　Ｉ，Ｇｏｒｅｎｓｔｅｉｎ　Ａ，Ｔｏｒｒｅｓｉ　Ｒ　Ｍ，　ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｓｍ　ｏｆ　ＷＯ　ｉｌａ　Ａｃｉｄ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ　ａｎ　Ｅｌｅｃ－　ｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ，Ｏｐｔｉｃａｌ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ　Ｓｔｕｄｙ［Ｊ］．　Ｊ　Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌ　Ｃｈｅｍ，１９９１，３１８：１３１—１４４．　［２］Ｋｌｉｓｃｈ　Ｍ．１２一Ｔｕｎｇｓｔｏｓｉｌｉｃｉｃ　Ａｃｉｄ（１２一ＴＳＡ）ａｓ　ａ　Ｔｕｎｇ—　ｓｔｅｎ　Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ　ｉｎ　Ａｌｃｏｈｏｌｉｃ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｆｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ｘＷＯ３（１一ｚ）ＳｉＯ２　ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍｓ（ｚ≤０．７）Ｅｘｈｉｂｉｔｉｎｇ　Ｅｃｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ　Ｃｏｌｏｒａｔｉｏｎ　Ａｂｉｌｉｔｙ　ｒＪ］．Ｊ　Ｓｏｌ—ｇｅｌ　Ｓｃｉ　ａｎｄ丁　拍，１９９８，１２：２１—３３．　维普资讯 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５９２　武汉大学学报（理学版）　６６一　７Ｏ．　第４８卷　Ｉ－３］　Ｅｓｔｒａｄａ　Ｗ，Ａｎｄｅｒｓｓｏｎ　Ａ　Ｍ．Ｇｒａｎｑｖｉｓｔ　Ｃ　Ｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏ—　ｃｈｒｏｍｉｃ　Ｎｉｃｋｅｌ—Ｏｘｉｄｅ　Ｂａｓｅｄ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ　Ｍａｄｅ　ｂｙ　Ｒｅａｃ—　ｒｉｖｅ　ｄ．ｃ．Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ：Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｏｐｔｉ—　［１　１］Ｊｉ　ｘ　Ｈ，Ｙａｎｇ　Ｙ　Ａ，Ｙａｏ　Ｊ　Ｎ．Ｐｈｏｔｏｃｈｒｏｍｉｃ　Ｂｅｈａｖｉｏｒ　ｏｆ　Ｓｐｉｎ　Ｃｏａｔｅｄ　Ｍｏ（）３　Ｉ　ｈｉｎ　Ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｐｈｏｔｏｇｒａ　ｐｈ　ｉｃ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９８，１６：３５３－３５８（Ｃｈ）．　ｃａｌ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，１９８８，６４：３６７８—　３６８３．　［１２］Ｃｏｍｍｉ　Ｅ。Ｆａｇｌｉａ　Ｇ，Ｓｂｅｒｖｅｇｌｉｅｒｉ　Ｇ・ｅｔ　ａ１．Ｃａｒｂｏｎ　Ｍｏｎｏｘｉｄｅ　Ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｏｆ　Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ（）ｘｉｄｅ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍｓ　１－４］Ｌａｍｐｅｒｔ　Ｃ　Ｍ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ｆｏｒ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　Ｗｉｎｄｏｗｓ［Ｊ］．Ｓｏｌａｒ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｍａ—　ｔｅｒ，１９８４，１１：１－２７．　Ｄｅｐｏｓｉｄｅｄ　ｂｙ　Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ　ＥＪ３．Ｓｅｎｓ　ａｎｄ　Ａｃｔｕ—　ａｔｏｒｓ　Ｂ，２０００，６８：１６８—１７４．　［５］Ｗｕ　Ｙ　Ｇ。Ｗｕ　Ｇ　Ｍ。Ｎｉ　Ｘ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｏｎ　ｔｈｅ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ　［１３］Ｍｅｎｄｅｚ—Ｖｉｖａｒ　Ｊ，Ｃａｍｐｅｒｏ　Ａ，Ｌｉｖａｇｅ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．１＂ｈｅ　Ｓｏｌ—Ｇｅ１　Ｒｏｕｔｅ　ｔｏ　Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ　Ｏｘｉｄｅｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｎｏｎ—　Ｃｒｙｓｔ　Ｓｏｌｉｄｓ，１９９０，１２１：２６—３０．　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＭｏＯ３　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｉｎｏｒｇ　Ｍａｔｅｒ，　１　９９６，１１：６３３—６３８（Ｃｈ）．　［１４］Ｊｕｌｅｉｎ　Ｃ．Ｋｈｅｌｆａ　Ａ，Ｇｕｅｓｄｅｎ　Ｊ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｌｉｔｈｉｕｍ　Ｉｎ—　ｔｅｒｃａｌａｔｉｏｎ　ｉｎ　ＭｏＯ３：Ａ　Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ　Ｂｅｔｗｅｅｎ　Ｃｒｙｓｔａｌ—　［６］　Ｙａｏ　Ｊ　Ｎ。Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ　Ｋ，Ｆｕｊｉｓｈｉｍａ　Ａ．Ｐｈｏｔｏｃｈｒｏｍｉｓｍ　Ｉｎ—　ｄｕｃｅｄ　ｉｎ　ａｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃａｌｌｙ　Ｐｒｅｔｒｅａｔｅｄ　Ｍｏ（）ａ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　ｂｙ　ｌｉｎｅ　ａｎｄ　Ｄｉｓｏｒｄｅｒｅｄ　Ｐｈａｓｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ａ，１９９４，　５９：１　７３—１７８．　Ｖｉｓｉｂｌｅ　Ｌｉｇｈｔ［Ｊ］．Ｎａｔｕｒｅ，１９９２。３５５：６２４—６２６．　Ｉ－７］Ｓｉｏｋｏｕ　Ａ，Ｌｅｆｔｈｅｒｉｏｔｉｓ　Ｇ，Ｐａｐａｅｆｔｈｉｍｉｏｕ　Ｓ，ｅｔａ１．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　ａｎｄ　Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ　Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　Ｓｔａｔｅｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　Ｔｈｅｒｍａ１　Ｃｏｌｏｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ＷＯ３　ａｎｄ　ＭＯ３　Ｆｉｌｍｓ　［１５］Ｋｉｈｌｂｏｒｇ　Ｌ．Ｌｅａｓｔ—Ｓｑｕａｒｅｓ　Ｒｅｆｉｎｅｍｅｎｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　Ｍｏ　Ｔｒｉｏｘｉｄｅ［Ｊ］．Ａｒｋ　Ｋｅｍｉ，１９６３，２１：　３５７—３６４．　［Ｊ］．ｓｎ　Ｓｃｉ．２００１，４８２—４８５：２９４—２９９．　［８］Ｙａｏ　Ｊ　Ｎ，Ｌａｏ　Ｂ　Ｈ。Ｆｕｊｉｓｈｉｍａ　Ａ．Ａ　Ｓｔｕｄｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｐｈｏｔｏ—　ｃｈｒｏｍｉｃ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＭｏＯ３　Ｔｈｉｎ　［１６］Ｓｅｇｕｉｎ　Ｌ，Ｆｉｇｌａｒｚ　Ｍ，Ｃａｖａｇｎａｔ　Ｒ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎｆｒａｒｅｄ　ａｎｄ　Ｒａｍａｎ　Ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ＭｏＯ３　Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ　Ｔｒｉｏｘｉｄｅｓ　ａｎｄ　ＭｏＯ３　ｘＨ　２　Ｏ　Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ　Ｔｒｉｏｘｉｄｅ　Ｈｙｄｒａｔｅｓ［Ｊ］．　Ｓｐｅｃｔｏｃｈｉｍｉｃａ　Ａｃｔａ　Ａ，１９９５。５１：１３２３—１３４４．　Ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．ＢｅｒＢｕｎｓｅｎｇｅｓ　Ｐｈｙｓ　Ｃｈｅｍ，１９９０。９４：１３—１７．　［９］ｌｓｈｉｋａｗａ　Ａ，Ｙｏｓｈｉｍｕｒａ　Ｔ．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｒｅｓｉｓｔ　Ｃｏｎｓｉｓｔｅｄ　ｏｆ　Ｐｅｒ一　［１　７］Ｍａｔｔｅｓ　Ｒ，Ｓｃｈｒｏｄｅｒ　Ｆ．Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｖｉｂｒａｔｉｏｎａｌ　Ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ＭｏＯ３，ＷＯ２　Ｃ１２　ａｎｄ　ＷＯ３［Ｊ］．Ｚ　Ｎａｔｒｕｆｏｒｓｃｈ　Ｂ，　１９６９，２４：１０９５－１１００．　０ｘＯ—Ｐｏｌｙｍｏｌｙｂｄｉｃ　Ａｃｉｄｓ［Ｊ］．Ｄｅｎｋｉ　Ｋａｇａｋｕ，１９９２，　６０：４１６－４２５．　ｒ１８］Ｂｅａｔｔｉｅ　ｌ　Ｒ。Ｃｈｅｅｔｈａｍ　Ｎ，Ｇａｒｄｎｅｒ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｃａｌｃｕｌａ－　ｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖｉｂｒａｔｉｏｎａ１　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｉｅｓ　ｏｆ　Ｐｏｌｙａｔｏｍｉｃ　Ｍｏｌ—　［１　０］Ｓｃａｒｍｉｎｉｏ　Ｊ，Ｌｏｕｒｅｎｃｏ　Ａ，Ｇｏｒｅｎｓｔｅｉｎ　Ａ．Ｅｌｅｃｔｒｏ—　ｃｈｒｏｍｉｓｍ　ａｎｄ　Ｐｈｏｔｏｃｈｒｏｍｉｓｍ　ｉｎ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　Ｍｏｌｙｂｄｅ—　ｅｃｕｌｅｓ，Ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ　Ｔｈｏｓｅ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ　．ｎｕｍ　Ｏｘｉｄｅ　Ｆｉｌｍ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，１　９９７，３０２：　４．】９７】．２２４Ｏ一２２４５．　Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｓｔｕｄｙ　Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ　Ｏｘｉｄｅ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍｓ　ｂｙ　Ｓｏｌ—Ｇｅｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓ　ＳＵＮ　Ｊｉｅ－ｂｉｎｇ　，ＸＩＯＮＧ　Ｒｕｉ　，ＷＡＮＧ　Ｓｈｉ—ｍｉｎ　，ＴＡＮＧ　Ｗｕ—ｆｅｎｇ　，ＳＨＩ　Ｊｉｎｇ　，ＴＩＡＮ　Ｄｅ－ｃｈｅｎｇ　（１．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ。Ｗｕｈａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ。Ｗｕｈａｎ。４３００７２。Ｃｈｉｎａ；　２．Ｆａｃｕｌｔｙ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｈｕｂｅｉ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｗｕｈａｎ，４３００６２，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａ　ｓｏｌ—ｇｅｌ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｗａｓ　ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ　ｔｏ　ｐｒｅｐａｒｅ　ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ　ｏｘｉｄｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ．Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ　ａｃｅｔｙ１ａｃｅｔｏｎａｔｅ　ｓｏｌ—ｇｅｌ　ｗａｓ　ｍａｄｅ　ｂｙ　ｅｍｐｌｏｙｉｎｇ　ｔｈｅ　ｓｙｓｔｅｍ　ＣＨ　３　ＣＯＣＨ２　ＣＯＣＨ　３／ＭｏＯ３／Ｃ６　Ｈ５　ＣＨ　３／ＨＯＣＨ２　ＣＨ２　ＯＣＨ　３．Ｔｈｅｒｍａｌ　ｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ　ａｎｄ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎａｌｙｓｅｓ（ＴＧ—ＤＴＡ）ｏｎ　ｇｅｌ　ｓｕｇｇｅｓｔ　ｔｈａｔ　ＭｏＯ３　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅ　ａｒｏｕｎｄ　５０８℃ｃｏｖｅｒｉｎｇ　ａ　ｒａｎｇｅ　ｏｆ　１４０℃．ＭｏＯ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｏｎ　Ｓｉ（１１１）ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｂｙ　ｓｐｉｎ　ｃｏａｔｅｄ　ｍｅｔｈｏｄ　ｉｎ　ｏｘｙｇｅｎ　ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ　ａｔ　４５０℃．Ｘ—ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）ａｎｄ　ＦＴＩＲ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｆｏｒ　ａｓ—　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｆｉｌｍ　ｃｏｎｆｉｒｍ　ｔｈａｔ　ＭｏＯ３　ｆｉｌｍｓ　ａｒｅ　ａ—ＭｏＯ３　ｐｈａｓｅ．ＳＥＭ　ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ｒａｎｄｏｍ—ｏｒｉｅｎｔｅｄ　ａｎｄ　ｄｅｎｓｅｌｙ　ｐａｃｋｅｄ　ＭｏＯ３　ｇｒａｉｎｓ　ｆｉｌｍｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｏｂｔａｉｎｅｄ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ　ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ　ｏｆ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ　ｉｓ　ｂｅｔｗｅｅｎ　０．５　ｔｏ　１肚ｍ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｓｏｌ—ｇｅｌ　ｐｒｏｃｅｓｓ；ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ　ｏｘｉｄｅ；ｔ　ｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ