专利名称：一种离子源辅助高功率脉冲磁控溅射沉积装置专利类型：发明专利发明人：孙德恩,李静,梁斐珂申请号：CN201711091583.3申请日：20171108公开号：CN107723674A公开日：20180223
摘要：本发明公开了一种离子源辅助高功率脉冲复合磁控溅射沉积装置，包括：真空腔室；设置在真空腔室内由偏压电源供电的用于承载和转动工件的工件转架；与真空腔室连接的真空泵；设置在真空腔室内璧安装的离子源枪、与高功率脉冲磁控溅射电源相连接的第一磁控溅射靶枪、分布设置在第一磁控溅射靶枪两侧相向设置并与第一磁控溅射靶枪的连线的夹角成预定角度的第二磁控溅射靶枪；其中，离子源枪与第一磁控溅射靶枪在真空腔室内壁相向设置。通过在真空腔室内相向设置离子源枪与第一磁控溅射靶枪，由高功率脉冲磁控溅射电源连接的第一磁控溅射靶枪提供较高的离化金属离子，线性离子源提供较高的离化气体离子，两者共同作用提高了系统的离化率。
申请人：重庆大学
地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：罗满
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