（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201710396484.X （22）申请日 2017.05.31 （71）申请人 母凤文;赫然
地址 100044 北京市海淀区交大东路36号702室
（10）申请公布号 CN107039373A
（43）申请公布日 2017.08.11
（72）发明人 母凤文;赫然
（74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司
代理人 任岩
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
氮化镓器件结构及其制备方法
（57）摘要
本发明公开了一种具有高散热性能的氮化
镓器件结构及其制备方法，该结构包括氮化镓芯片、刻蚀停止层和金刚石散热层，刻蚀停止层具有一第一表面，作为生长界面，金刚石散热层生长于刻蚀停止层的第一表面上；刻蚀停止层具有一与第一表面相对的第二表面，作为键合界面，氮化镓芯片键合于刻蚀停止层的第二表面上；刻蚀停止层由高热导率材料构成。氮化镓芯片与金刚石键合结构的制造方法为低温工艺，避免了高
温下热失配产生的翘曲问题，且不对已有器件造成破坏，可实现带有器件的氮化镓晶圆或芯片与较薄金刚石层的集成，无需使用自支撑的金刚石厚膜基板，可在保证增强散热性能的同时显著降低成本，解决了氮化镓散热方案成本较高且散热效果差的问题。
法律状态
法律状态公告日2017-08-11 2017-08-11 2017-09-05
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
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说明书
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