专利名称：超薄膜场效应晶体管传感器及其应用专利类型：发明专利
发明人：孟青,张凤娇,臧亚萍,邹业,狄重安,胡文平,朱道本申请号：CN201310384397.4申请日：20130829公开号：CN103472116A公开日：20131225
摘要：本发明公开了一种超薄膜场效应晶体管及其应用。该晶体管传感器，包括栅极层、绝缘层、有机传感层、源电极和漏电极；所述晶体管传感器的结构为如下结构a（底栅顶接触式）或b（底栅底接触式）：结构a：所述绝缘层位于所述栅极层之上；所述有机传感层位于所述绝缘层之上；所述源电极和漏电极位于同一层，且均位于所述有机传感层之上。构成所述有机传感层的材料为式I所示化合物。该晶体管传感器在常温下即可对氨气做出快速、灵敏的传感响应，选择性高、可恢复，检测限达到0.1ppm，是目前最灵敏的氨气传感器之一，制作成本廉价、工艺简单、易于器件小型化和集成化，适合较大规模生产。式I。
申请人：中国科学院化学研究所
地址：100080 北京市海淀区中关村北一街2号
国籍：CN
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：关畅
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