专利名称：补偿器件,电路,方法和应用专利类型：发明专利
发明人：H·韦伯,D·阿勒斯,G·德博申请号：CN02124524.X申请日：20020508公开号：CN1388588A公开日：20030101
摘要：本发明涉及一种半导体器件,按照载流子补偿原理制成,其中在一个半导体器件的半导体基片内加入额外的不完全电离化的掺杂材料,并且在加上反向电压后,补偿率作为时间的函数发生改变,从而使所述半导体器件的击穿电压增高。此外本发明还涉及一种电路以及一种本发明所述补偿层的掺杂方法。
申请人：因芬尼昂技术股份公司
地址：联邦德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：张志醒
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