专利名称：晶圆断键强度检测装置以及检测方法专利类型：发明专利
发明人：韩斌,夏威,辛君,林宗贤申请号：CN201910754290.1申请日：20190815公开号：CN110459485A公开日：20191115
摘要：一种晶圆断键强度检测装置和检测方法，其中晶圆断键强度检测装置包括：工艺单元，用于对待测晶圆表面进行第一表面处理，使所述待测晶圆表面产生第一正离子和第一负离子；信号转换单元，用于根据所述第一正离子和第一负离子获取第一电信号。所述晶圆断键强度检测装置和检测方法对晶圆断键强度的检测的准确性。
申请人：德淮半导体有限公司
地址：223302江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：徐文欣
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