专利名称：一种锁存电路专利类型：发明专利发明人：詹泽红,顾明
申请号：CN201811014888.9申请日：20180831公开号：CN109147851A公开日：20190104
摘要：本发明公开了一种锁存电路，包括:存储阵列，为将原整体存储阵列区域按字节所划分得到的M个子存储区域<0:M‑1>，用于按字节存储信息；锁存模块，用于给M个子存储区域<0:M‑1>产生擦除、编程以及预编程所需的高压GBL,本发明通过将锁存模块及存储阵列按字节划分，能够高效率使用锁存及存储阵列，降低存储阵列的使用频率，减缓其老化速率，从而提高其可靠性。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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