专利名称：集成电路和形成集成电路的方法专利类型：发明专利
发明人：彭士玮,庄正吉,赖志明,曾健庭,林威呈申请号：CN201910639714.X申请日：20190716公开号：CN110729289A公开日：20200124
摘要：集成电路包括第一栅极、第二栅极、第一接触件和第一绝缘层。第一栅极在第一方向上延伸并位于第一层级上。第二栅极在第一方向上延伸，位于第一层级上，并且在与第一方向不同的第二方向上与第一栅极分离。第一接触件在第二方向上延伸，与第一栅极和第二栅极重叠，位于与第一层级不同的第二层级上，并且至少耦合至第一栅极。第一绝缘层在第二方向上延伸，与第一栅极和第二栅极重叠，并且位于第二栅极和第一接触件之间。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容