专利名称：一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法专利类型：发明专利
发明人：汪冬梅,吴玉程,汤文明,郑治祥申请号：CN201610292864.4申请日：20160503公开号：CN105967186A公开日：20160928
摘要：本发明涉及一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法，包括以下步骤：a、将SiC粉料置于高温箱式电阻炉中，升温至1300～1600℃于空气中煅烧3～7h后，随炉冷却至室温；b、加入混合酸搅拌10～12h后，静置12～24h，用去离子水清洗至pH值为7.0后烘干；c、将SiC粉料置于高温烧结炉中，升温至1800～2200℃于氩气中煅烧3～7h，随炉冷却至室温；d、加入混合酸中搅拌10～12h，静置12～24h，去离子水清洗至pH值为7.0后于烘干。本发明的方法提高SiC晶体的结晶度，改善SiC颗粒的异构体现象，从而降低晶体结构和几何外形等缺陷对后续所制备的SiC/Al复合材料性能影响。
申请人：合肥工业大学
地址：230000 安徽省合肥市屯溪路193号
国籍：CN
代理机构：北京轻创知识产权代理有限公司
代理人：沈尚林
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