专利名称：导电结构及半导体器件专利类型：发明专利
发明人：金玄永,郭逃远,徐康元申请号：CN201911236824.8申请日：20191205公开号：CN111326421A公开日：20200623
摘要：本公开的一方面提供一种导电结构，其特征在于，包括：延伸穿过介电层的纵向部件，其包括深宽比超过1的内部导体；布置在所述纵向部件上方的横向部件，其包括在所述纵向部件的所述内部导体上方横向延伸的上部导线；和设置在所述内部导体和所述上部导线之间的中介层，其厚度基本均匀，并横向延伸超过所述纵向部件的平面投影；其中，所述横向部件的上部导线通过所述中介层与所述纵向部件的内部导体电连接。
申请人：夏泰鑫半导体(青岛)有限公司
地址：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室
国籍：CN
代理机构：深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人：肖昀
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