专利名称：单片三维（3D）集成电路及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：让-皮埃尔·科林格,卡洛斯·H·迪亚兹,郭大鹏申请号：CN201711292805.8申请日：20171208公开号：CN109119414A公开日：20190101
摘要：本发明的实施例提供了一种用于制造具有无结半导体器件(JSD)的单片三维(3D)集成电路(IC)的方法及其所形成的集成电路。在半导体衬底上方形成第一层间介电(ILD)层，同时也在第一ILD层中形成交替堆叠的第一通孔和第一互连线。将第一掺杂型层和第二掺杂型层转移至第一ILD层的顶面。第一和第二掺杂型层是堆叠的并且是具有相反掺杂类型的半导体材料。图案化第一和第二掺杂型层以形成第一掺杂型线和位于第一掺杂型线上面的第二掺杂型线。形成跨越第一和第二掺杂型线的栅电极。栅电极以及第一和第二掺杂型线至少部分地限定JSD。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：TW
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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