专利名称：一种防止晶圆表面出现损伤的方法专利类型：发明专利发明人：刘珩,刘超,肖瑟申请号：CN201710823456.1申请日：20170913公开号：CN107471087A公开日：20171215
摘要：本发明提供了一种防止晶圆表面出现损伤的方法，应用于化学机械研磨工艺；其中，具体包括以下步骤：步骤S1、于晶圆的表面形成一第一研磨液体薄膜层；步骤S2、研磨装置通过第一研磨液体薄膜层对晶圆的表面进行研磨；步骤S3、对研磨后的晶圆的表面进行清洗，以去除残留于晶圆的表面以及研磨装置上的第一研磨液体薄膜层。其技术方案的有益效果在于，在首次进行研磨操作后，通过对研磨后的晶圆表面进行清洗，可以有效的去除在研磨工艺中残留于晶圆表面的第一研磨液体薄膜层即副产物，避免了副产物在后续的研磨操作中对晶圆表面的晶粒造成损伤的问题。
申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司
地址：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：俞涤炯
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