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一种磷化铟的合成方法及其合成装置

来源:个人技术集锦
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201711104557.X (22)申请日 2017.11.10

(71)申请人 北京鼎泰芯源科技发展有限公司

地址 100080 北京市海淀区海淀大街3号楼B座10层340

(10)申请公布号 CN107937984A

(43)申请公布日 2018.04.20

(72)发明人 段满龙;董志远;赵有文;杨俊

(74)专利代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司

代理人 李琳

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种磷化铟的合成方法及其合成装置

(57)摘要

一种磷化铟的合成方法及其合成装置,将

放置在密封管内的存放铟的第一容器和存放磷的第二容器初始均放置在磷压控制区内,磷压控制区的温度大于或等于磷的汽化温度并低于磷化铟的熔点,利用磷压控制区的温度来融化并预热铟并使得磷汽化,在密封管的移动方向上,第一容器位于第二容器前方;密封管从磷压控制区向反应区移动,反应区的温度大于或等于磷化铟的熔点,在反应区内,磷蒸汽熔解到铟熔体中,形成

磷化铟熔体;密封管从反应区向多晶冷却区移动,多晶冷却区的温度低于反应区的温度,磷化铟熔体在多晶冷却区冷却为磷化铟多晶。本发明利用磷压控制区存放液态铟,有效避免高温铟与石英坩埚壁反应导致的Si污染问题,InP多晶产品纯度更高。

法律状态

法律状态公告日

2018-04-20 2018-04-20 2018-04-20 2018-05-15 2018-05-15 2018-10-23

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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说明书

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