专利名称：半导体装置及其驱动方法专利类型：发明专利
发明人：田中康太郎,堀隆,安达和广申请号：CN201180003332.X申请日：20110524公开号：CN102473726A公开日：20120523
摘要：本发明提供一种MIS型半导体装置，其在半导体体区与栅绝缘膜之间具有半导体极性与半导体体区相反的沟道层，使该半导体装置的Vfb与该半导体装置的截止侧的极性的栅额定电压Vgcc同等或在该值以下，由此将半导体体区表面附近被诱导的载流子电荷密度在该半导体装置的动作保证范围内抑制为指定量以下。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汪惠民
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