一种高纯度氮化铜纳米晶体的制备方法

来源：个人技术集锦

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201711275090.5 （22）申请日 2017.12.06 （71）申请人江汉大学

地址 430056 湖北省武汉市沌口经济技术开发区江汉大学科研处

（10）申请公布号 CN108063249A

（43）申请公布日 2018.05.22

（72）发明人汤舜;兰倩;梁济元;曹元成

（74）专利代理机构武汉开元知识产权代理有限公司

代理人王虹

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

一种高纯度氮化铜纳米晶体的制备方法

（57）摘要

本发明公开了一种高纯度氮化铜纳米晶体

的制备方法，其特征在于，步骤为：在无氧、无水、惰气环境中，将纳米Cu

法律状态

法律状态公告日

2018-05-22 2018-05-22 2018-06-15

公开公开

实质审查的生效

法律状态信息

公开公开

法律状态

实质审查的生效

权利要求说明书

一种高纯度氮化铜纳米晶体的制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

一种高纯度氮化铜纳米晶体的制备方法的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文