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QLED器件及其制备方法[发明专利]

来源:个人技术集锦
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:QLED器件及其制备方法专利类型:发明专利发明人:余磊,宋晶尧,付东申请号:CN201810878221.7申请日:20180803公开号:CN110416423A公开日:20191105

摘要:本发明涉及一种QLED器件及其制备方法,其中,QLED器件包括发光层,所述发光层中包括量子点材料和有机纳米线,所述有机纳米线均匀分布于所述量子点材料中。该QLED器件通过在发光层中均匀掺杂有机纳米线,可以提高空穴传输能力、降低电子电流,从而平衡载流子的注入和传输,提升器件性能。

申请人:广东聚华印刷显示技术有限公司

地址:510000 广东省广州市广州中新广州知识城凤凰三路17号自编五栋388

国籍:CN

代理机构:广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人:林青中

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