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一种基于三模冗余的抗辐射数据选择器电路

来源:个人技术集锦
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)实用新型专利

(21)申请号 CN201921208606.9 (22)申请日 2019.07.30 (71)申请人 安庆师范大学

地址 246001 安徽省安庆市集贤北路1318号

(10)申请公布号 CN210351124U

(43)申请公布日 2020.04.17

(72)发明人 王若琴;戴威;单龙强 (74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种基于三模冗余的抗辐射数据选择器电路

(57)摘要

本实用新型公开了一种基于三模冗余的抗

辐射数据选择器电路,包括反相器电路、数据选择器电路和表决电路;所述反相器电路是由1个PMOS管和1个NMOS管构成一个反相器;所述数据选择器电路包括第一数据选择器电路、第二数据选择器电路和第三数据选择器电路;每个数据选择器电路均由2个反相器和2个传输门组成;所述表决电路是由6个PMOS管和6个NMOS管构成一个反相输出的表决电路。本实用新型的技术

方案使用三模冗余进行加固,进一步减少了面积,提高了性能,实现了数据选择功能,同时具有较强的抗辐射能力。

法律状态

法律状态公告日

2020-04-17

授权

法律状态信息

授权

法律状态

权利要求说明书

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说明书

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