专利名称：电路结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：埃杜亚德·A·卡蒂埃,瓦姆西·帕鲁查里,维杰伊·纳拉亚
南,巴里·P·林德,张郢,马克·T·罗布森,米歇尔·L·斯蒂恩,布鲁斯·B·多丽丝
申请号：CN200810091376.2申请日：20080508公开号：CN101304031A公开日：20081112
摘要：本发明提供一种电路结构及其制造方法，该电路结构包括具有PFET和NFET器件的FET器件结构，PFET和NFET器件具有高k电介质栅极绝缘体和含金属的栅极。NFET和PFET器件两者中的栅极的金属层由单个公共金属层制造。因为两类器件的栅极使用单个金属层，所以NFET和PFET的端子电极能直接物理接触地彼此对接。该FET器件结构还包括受应力的器件沟道、以及具有nSi和pSi值的有效功函数的栅极。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约阿芒克
国籍：US
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：张波
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