专利名称：磁阻效应元件专利类型：发明专利
发明人：恒川孝二,大卫·D.·贾亚普拉维拉申请号：CN200910142724.9申请日：20060926公开号：CN101587935A公开日：20091125
摘要：本发明提供一种磁阻效应元件，具有固定强磁性层和自由强磁性层及由这些强磁性层夹持的阻挡层，且在自由强磁性层中使用硼B的添加量(b：原子％)为21％≤b≤23％的CoFeB而构成。这样，在该磁阻效应元件中，在保持高MR比的同时磁致伸缩常数在磁致伸缩常数零附近不会急剧变化。
申请人：佳能安内华股份有限公司
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京银龙知识产权代理有限公司
代理人：张敬强
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