专利名称：等离子体处理装置、薄膜制造方法和薄膜晶体管制
造方法
专利类型：发明专利
发明人：山崎舜平,井上卓之,菊地彫,井上博登申请号：CN201010213335.3申请日：20100617公开号：CN101928935A公开日：20101229
摘要：本发明的一个方式的目的在于提供一种可以形成均匀且优质的膜的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有如下结构：其上部电极具有设置有第一引入孔(第一气体管道)的凸部和设置有第二引入孔(第二气体管道)的凹部，所述上部电极的第一引入孔(第一气体管道)连接到填充有不容易离解的气体的第一汽缸且第二引入孔(第二气体管道)连接到填充有容易离解的气体的第二汽缸，从设置在所述上部电极的凸部的表面的第一引入孔(第一气体管道)的引入口将不容易离解的气体引入到反应室并从设置在凹部的表面的第二引入孔(第二气体管道)的引入口将容易离解的气体引入到反应室。
申请人：株式会社半导体能源研究所
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：侯颖媖
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