专利名称：小滞后损耗的一级相变La(Fe专利类型：发明专利
发明人：陈岭,胡凤霞,包立夫,王晶,孙继荣,沈保根申请号：CN201110325875.5申请日：20111024公开号：CN103059815A公开日：20130424
摘要：本发明提供了一种小滞后损耗的一级相变La(Fe，Si)基磁热效应材料及其制备方法和用途，所述材料具有NaZn型结构，化学通式为：LaR(FeCoMn)SiA，所述磁热效应材料为粒径15～200μm的颗粒。其制备方法包括：通过熔炼、退火制备出LaR(FeCoMn)SiA材料，之后制成粒径范围15～200μm的粉末。在组分不变的情况下在15～200μm范围内调节晶粒度可获得具有小的滞后损耗强磁热效应的La(Fe，Si)基磁热效应材料，对于这类材料实际的磁制冷应用具有重要意义。
申请人：中国科学院物理研究所
地址：100190 北京市海淀区中关村南三街8号
国籍：CN
代理机构：北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人：郭广迅
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