横向扩散金-氧-半场效应器件的低压倒置阱注入方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201010571218.4 （22）申请日 2010.12.03

（71）申请人 上海华虹NEC电子有限公司

地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

（10）申请公布号 CN102487011A

（43）申请公布日 2012.06.06

（72）发明人 熊涛;孙尧;罗啸

（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人 王函

（51）Int.CI

H01L21/336; H01L21/266;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

横向扩散金-氧-半场效应器件的低压倒置阱注入方法

（57）摘要

本发明公开了一种横向扩散金-氧-半场效

应器件的低压倒置阱注入方法，包括如下步骤：(1)在硅片表面依次沉积垫层膜和硬质膜；(2)在硬质膜表面涂光刻胶、曝光，低压倒置阱注入区域的图形转移到光刻胶层上；(3)采用干法刻蚀刻开硬质膜，停在垫层膜上；(4)剥去光刻胶，将低压倒置阱注入区域图形转移到硬质膜层上；(5)以

硬质膜为阻挡层，进行低压倒置阱的多步离子注入；(6)用湿法剥去硬质膜和垫层膜，完成整个低压倒置阱的离子注入过程。本发明以硬质膜作为低压倒置阱注入的阻挡层，以消除高低能离子注入的宽度差异，避免LDMOS器件特性参数的漂移。

法律状态

法律状态公告日

2012-06-06 2012-07-25 2014-01-29 2014-02-26

法律状态信息

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

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公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

权利要求说明书

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说明书

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