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课程名称：半导体工艺

课程编码： 课程类型：专业必修课

总学时数/学分数： 适用专业：电子学院各专业 先修课程：电路分析基础、模拟电路、数字电路等。 修订日期：

一．课程性质、任务和教学目标

本课程是电子学院各专业的专业必修课，半导体工艺第十二章内容涉及金属化、金属类型、金属CVD、金属淀积系统、金属化方案等内容。通过多媒体及板书授课相结合的的方式，教学目的是通过本章的学习，能够1.解释金属化2.列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用3.解释在芯片制造过程中使用铜金属化的优点，描述应用铜的挑战4.描述溅射的优点和缺点5.描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用6.描述金属CVD的优点和应用7.解释铜电镀的基础8.描述双大马士革法的工艺流程。

二、教学内容与要求 教学内容 12.1引言 掌握：1.金属化的概念。 2.互连、接触、通孔这几个术语的概念 。 掌握：合适的金属互连材料的要求。 重点：1.常用的6种金属互连。 2.欧姆接触的概念。 12.2 金属类型 3.什么是穿通。 4.铝互连的应用、优势及问题。 5.铜互连的优势、应用、问题及解决办法。 6.传统和双大马士革工艺的比较。 7.接触的形成。 掌握：1.蒸发的概念及优缺点。2.溅射的原理和基本溅射步骤。 12.3金属淀积系统 3.基本溅射步骤。 重点：1.溅射的优点和溅射系统及各部分的特点。2.金属CVD的优点和应用。3.铜电镀的基础。4.离子化的金属等离子体PVD 12.4金属化方案 12.5金属化质量测量 12.6 金属化检查及故障排除 理解：传统的铝结构和铜大马士革工艺。 理解：测试金属化的质量表格。包括质量参数、缺陷类型及备注。 教学要求 掌握：常见金属化的问题、可能原因及纠正措施。（表格） 12.7小结 理解：金属化的关键术语。 三、学时分配表 教学内容 12.1引言 12.2 金属类型 12.3金属淀积系统 12.4金属化方案 12.5金属化质量测量 12.6 金属化检查及故障排除 12.7小结

0.5 学时分配 （讲授） 1 1 0.5 四、教学方法与手段

本门课采用课堂讲授方式，课堂教学主要采用多媒体教学手段，并辅之以课堂学生回答问题和实验课。用于基本概念和理论分析及应用的课堂讲授约占总学时的90%，实验课占10 %。

五、考核方式

本课程为考试课，主要以老师多媒体讲课为主，学生的成绩以期末考试为主，学生课堂出勤和平时作业表现为辅。

六、建议教材及教学参考书

教 材：《半导体制造技术》 Michael Quirk著 韩郑生等译 电子工业出版社 北京