CVD制程介绍

一、CVD制程原理

CVD stands for Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积

CVD镀膜主要是用来进行介电质层镀膜以及钝化保护介电层镀膜。它是利用气态的源材料在晶圆表面产生化学反应的制程。

Plasma： 带电的正离子、电子和中性粒子的集合体。整个集合体呈现电中性。 二、制程参数：

Pressure： 在非run货情况下，chamber压力维持在3~5mtorr

run货时的压力为1450~2600 mtorr

Spacing： 是susceptor和diffuser之间的距离

（450milGas flow: 不同膜层所用到的气体及气体流量是不同的

G： SiH4 NH3 N2

I： SiH4 H2

N： SiH4 PH31%/H2 H2

PV： SiH4 NH3 N2

RF： 主要提供一定功率以形成plasma

Tempertaure：镀膜时susceptor的温度，以利于化学反应的进行。GIN镀膜（340℃/360 ℃ ），PV镀膜（275 ℃ /285 ℃ ）。因susceptor heater 有两层线圈，温度的冷却有梯度，中间的温度高，设定内外两个温度，是为了使整块susceptor温度均匀。 三、CVD 镀膜机台简介

目前IVO有四台AKT 15K CVD机台

机台编号 镀膜层 A1CVD210 G1 A1CVD240 G、I、N A1CVD250 G、I、N A1CVD410 PV层 主机台由一个DDSL、Transfer Chamber、六个Process chamber 组成

1. DDSL由上下两个Upper 和Lower Load lock / Un load lock 构成，一组Load lock又分

两层，上进下出，由input plate 、cooling plate 、base plate，Substrate alignment mechanism（基片校准装置）组成

2.T/C有14个substrate sensor、vacuum robot arm、end effector、end effector pad，作用是在DDSL与P/C之间传送基片

3.P/C制程完成的地方，