（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201210209958.2 （22）申请日 2012.06.19
（71）申请人 中国科学院半导体研究所
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
（10）申请公布号 CN102735665A
（43）申请公布日 2012.10.17
（72）发明人 刘宗顺;赵德刚;陈平;江德生
（74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司
代理人 宋焰琴
（51）Int.CI
G01N21/64;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
测量肖特基势垒高度的装置和方法
（57）摘要
本发明公开了一种测量肖特基势垒高度的
装置及方法，包括：光源、光斩波器、第一透镜、待测样品、第一源表、第二透镜、单色仪、探测器、锁相放大器、第二源表和计算机，该计算机控制单色仪、第一源表和第二源表，实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫描，从得到的肖特基势垒区域选定波长下的光荧光强度与偏置电压变化曲线中确定肖特基势垒高度数值。
利用本发明，由于肖特基势垒高度是从测量的光荧光强度随偏置电压的变化特性中得到的，避免了器件边沿并联电阻漏电效应对肖特基势垒高度测量的影响，具有测量精度高、一致性好、非破坏性等优点。
法律状态
法律状态公告日
2012-10-17 2012-12-12 2014-07-02
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
公开
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
测量肖特基势垒高度的装置和方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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