（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200910077680.6 （22）申请日 2009.02.11
（71）申请人 中国科学院半导体研究所
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
（10）申请公布号 CN101800290A
（43）申请公布日 2010.08.11
（72）发明人 李林森;关敏;曹国华;曾一平;李晋闽 （74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司
代理人 汤保平
（51）Int.CI
H01L51/50; H01L51/54; C07C211/54; C07D215/30;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管
（57）摘要
一种采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结
构的有机发光二极管，包括：一透明阳极；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层沉积在所述透明阳极上，该有机空穴注入层的面积小于透明阳极的面积；一有机空穴传输层，该有机空穴传输
层沉积在所述有机空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层沉积在所述有机空穴传输层上；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在所述有机发光层上；一阴极，该阴极沉积在所述有机电子传输层上，该阴极的面积小于有机电子传输层的面积。
法律状态
法律状态公告日2010-08-11 2010-09-29 2012-02-15
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
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权利要求说明书
采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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