平面肖特基势垒二极管

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510946666.0 （22）申请日 2015.12.17

（71）申请人 扬州国宇电子有限公司

地址 225101 江苏省扬州市经济技术开发区吴州东路188号

（10）申请公布号 CN105552119A

（43）申请公布日 2016.05.04

（72）发明人 马文力;杨勇;谭德喜;姚伟明;付国振 （74）专利代理机构 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司

代理人 胡思棉

（51）Int.CI

H01L29/73;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

平面肖特基势垒二极管

（57）摘要

一种平面肖特基势垒二极管，包括N型重

掺杂硅衬底、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂环区、薄氧化层、场氧化层、肖特基势垒层、多层金属层；其特征在于在P型重掺杂环区外侧的N型轻掺杂外延层中设置有P型轻掺杂环区，薄氧化层位于P型重掺杂环区和P型轻掺杂环区上面，场氧化层位于部分P型轻掺杂环区上方及其外侧的N型轻掺杂外延层上方，肖特基势垒层形

成于在部分P型重掺杂环区上面及N型轻掺杂外延层上面。本发明二极管可有效提高P型重掺杂环区的耐压效率，进而可以通过降低P型重掺杂环区的结深，进一步增强肖特基势垒区的表面电场，从而提高平面肖特基势垒的抗雷击能力，并能够降低正向导通压降、提高正向浪涌能力。

法律状态

法律状态公告日2016-05-04 2016-05-04 2016-06-01 2016-06-01 2019-07-12

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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