专利名称：肖特基势垒MOSFET的制备方法专利类型：发明专利
发明人：魏星,陆子同,薛忠营,狄增峰,方子韦申请号：CN201310720807.8申请日：20131224公开号：CN103745929A公开日：20140423
摘要：本发明提供了一种肖特基势垒MOSFET的制备方法，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支撑层、支撑层表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层；在器件层表面形成栅介质层；在栅介质层表面形成栅电极层；在栅电极层表面形成图形化的刻蚀阻挡层；采用各向同性的湿法腐蚀工艺腐蚀栅介质层和栅电极层，形成栅介质和栅电极，本步骤中的栅介质和栅电极被侧向过腐蚀；在栅介质和栅电极两侧的器件层表面沉积金属，从而形成源极和漏极；去除刻蚀阻挡层。本发明的优点在于，降低了生产成本，并且实现了源、漏区位置的准自对准。
申请人：上海新傲科技股份有限公司
地址：201821 上海市嘉定区普惠路200号
国籍：CN
代理机构：上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容