专利名称：单晶硅棒制造方法和单晶硅棒结构专利类型：发明专利
发明人：鲜于文旭,朴永洙,赵世泳,殷华湘,林赫申请号：CN200710192803.1申请日：20071119公开号：CN101235541A公开日：20080806
摘要：一种制造单晶硅棒的方法可包括：在基底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成孔；选择性地使硅在所述孔中生长；在所述孔和所述绝缘层上形成硅层；在所述硅层上沿不是关于所述孔的径向的方向形成棒图案；通过将激光束照射到所述硅层上熔化所述硅层并在对应于所述孔的位置产生成核位置，使所述硅层结晶。根据所述方法，可形成没有缺陷的单晶硅棒。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416
国籍：KR
代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容