专利名称：掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、
薄膜沉积设备
专利类型：发明专利发明人：王格,蒋志亮
申请号：CN201910671434.7申请日：20190724公开号：CN110331377A公开日：20191015
摘要：本发明提供了一种掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备，涉及掩膜板技术领域，能够提高膜层整体的沉积效果。其中的掩膜片包括多个开口；沿所述掩膜片的厚度方向，所述掩膜片的一侧且位于每个所述开口的边缘均具有一圈第一凹槽；沿所述掩膜片的厚度方向，所述掩膜片的另一侧且靠近每个所述开口的边缘均设置有第二凹槽。
申请人：京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司
地址：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
国籍：CN
代理机构：北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人：张静尧
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