IGBT驱动条件

由于IGBT的主要特性是随VGE和RG变化的。门极电路的正偏压VGE、负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dV/dt电流等参数有不同程度的影响。下表主要是IGBT的驱动条件和主要特性的关系。 IGBT的驱动条件和主要特性 主要特性 VCE(sat) ton 、Eon toff、Eoff 开通浪涌电压 关断浪涌电压 dV/dt误触发 电流限制值 短路承受能力 放射杂波 +VGE上升 减小 减小 —— 增加 —— 增加 增加 降低 增加 -VGE上升 —— —— 减小 —— 增加 减小 —— —— —— RG上升 —— 增加 增加 减小 减小 减小 减小 —— 减小 1.1 门极正偏压电压：+V GE （导通期间）

门极正偏压电压 +VGE 的推荐值为 +15V，下面说明 +VGE 设计时应注意的事项。 (1) 请将 +VGE 设计在 G-E 间最大额定电压 VGES=±20V max. 的范围内。 (2) 电源电压的变动推荐在 ±10% 范围内。

(3) 导通期间的C-E 间饱和电压（VCE (sat)）随 +VGE 变化，+VGE 越高饱和电压越低。 (4) +VGE 越高，开通交换时的时间和损耗越小。

(5) +VGE 越高，开通时（FWD 反向恢复时）对支路越容易产生浪涌电压。

(6) 即使是在IGBT断开的时间段内，由于 FWD 的反向恢复时的 dv/dt 会发生误动作，形成脉冲状的集电极电流，从而产生不必要的发热。这种现象被称为 dv/dt 误触发，+VGE 越高越容易发生。 (7) +VGE 越高，短路电流值越高。 (8) +VGE 越高，短路最大耐受量越小。 1.2门极反偏压电压：-V GE （阻断期间）

门极反偏压电压 -VGE 的推荐值为-5V到-15V。下面说明-VGE 设计时应注意的事项。 (1) 请将VGE 设计在 G-E 间最大额定电压 VGES=±20V max. 的范围内。 (2) 电源电压的变动推荐在 ±10% 范围内。

(3) IGB的关断特性依存于-VGE ，特别是集电极电流开始关断部分的特性在很大程度上依存于 –VGE。 因此，-VGE 越大，关断交换时的时间和损耗越小。

(4) dv/dt 误触发在 -VGE 小的情况下也有发生，所以至少要设定在 -5V 以上。尤其是门极配线长的情况下要注意。

1.3 门极电阻：R G

门极电阻RG的数值，在说明书中用测定交换特性时的标准门极电阻值表示。请将该值当做门极电阻RG 的大致标准。以下说明RG设计时应注意的事项。

(1) 交换特性在开通和关断时均依存于 RG，RG越大，交换时间和交换损耗就越大，但交换时的浪涌

电压变小。过高的RG可能会导致IGBT在开关期间长时间运行在线性模式下，最终导致栅极振荡。 (2) dv/dt 误触发在RG较大时变得不太容易发生。 (3) 使用非常小的RG，会带来更高的dv/dt或di/dt。 门极驱动电路