专利名称：一种抗电磁干扰薄膜电容器的制作方法专利类型：发明专利发明人：万广文,钱立文申请号：CN201410765252.3申请日：20141211公开号：CN104465092A公开日：20150325
摘要：本发明公开了一种抗电磁干扰薄膜电容器的制作方法，包括步骤：(1)薄膜金属化：采用聚丙烯薄膜为基膜，以锌铝为蒸发材料，采用将金属化层的边缘加厚的方法，边缘部分的方阻为1-2Ω/□，内部的方阻为6-10Ω/□；(2)卷绕、定型：采用金属化聚丙烯薄膜、金属化电极无感式卷绕构成电容器芯子，卷绕时两张薄膜之间错开0.6-0.75mm，芯子内部实现串联，然后定型；(3)喷金：芯子端面喷涂金属合金层，选用纯锌材料作打底，再喷锌锡合金线；(4)赋能；(5)焊接装配，环氧树脂灌封；(6)测试。本发明的抗电磁干扰薄膜电容器的制作方法，制作的薄膜电容器能承受高电流密度和脉冲电流，耐压高、介电性能好。
申请人：铜陵市启动电子制造有限责任公司
地址：244199 安徽省铜陵市狮子山经济开发区经三路与纬三路交叉口(安徽晶澈光电科技有限公司内)
国籍：CN
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