专利名称：半导体器件结构以及形成方法专利类型：发明专利
发明人：徐行徽,陈柏年,钟怡萱,谢博璇,林志勇申请号：CN201910921779.3申请日：20190927公开号：CN110970365A公开日：20200407
摘要：提供了一种半导体器件结构和形成方法。该方法包括：在半导体衬底上方形成第一半导体鳍和第二半导体鳍。第二半导体鳍比第一半导体鳍宽。该方法还包括：在半导体衬底上方形成栅极堆叠，栅极堆叠延伸跨越第一半导体鳍和第二半导体鳍。该方法还包括：在第一半导体鳍上方形成第一源极/漏极结构，第一源极/漏极结构是p型掺杂的。另外，该方法包括：在第二半导体鳍上形成第二源极/漏极结构，第二源极/漏极结构是n型掺杂的。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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