专利名称：一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法专利类型：发明专利发明人：田洪涛
申请号：CN200910102321.1申请日：20090828公开号：CN101714594A公开日：20100526
摘要：本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法，包括：(1)在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；(2)在氮化镓外延层表面生长SiO薄膜或者SiNx薄膜；(3)在SiO薄膜或者SiNx薄膜上涂敷光刻胶，制作光刻图形；(4)刻蚀光刻胶窗口下的SiO或者SiNx薄膜，去胶后得到图形化的SiO或者SiNx薄膜；(5)步骤(4)得到的SiO或者SiNx薄膜上外延生长P型氮化镓；(6)腐蚀SiO或者SiNx薄膜获得凸凹起伏的表面。本发明克服了图形化蓝宝石衬底上的氮化镓LED外延层表面形貌难以做得粗糙的问题，避免了干法刻蚀对外延层损伤，提高了LED的出光效果。
申请人：杭州士兰明芯科技有限公司
地址：310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区东区10号路300号
国籍：CN
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