专利名称：瞬态电压抑制器及其制作方法专利类型：发明专利发明人：不公告发明人申请号：CN201711336774.1申请日：20171214公开号：CN108054165A公开日：20180518
摘要：本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的第一、第二及第三P型注入区、形成于所述第一P型注入区表面的第一N型注入区、形成于所述第二P型注入区表面的第二N型注入区，所述第三P型注入区位于所述第一及第二P型注入区之间且连接所述第一及第二P型注入区，所述第一P型注入区与所述第一N型注入区构成第一二极管，所述第二P型注入区与所述第二N型注入区构成第二二极管，所述第三P型注入区与所述N型外延层及所述N型衬底构成第三二极管，所述三个二极管的正极相连接，所述三个二极管的负极用于连接外部电路。
申请人：深圳市晶特智造科技有限公司
地址：518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼
国籍：CN
代理机构：深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹明兰
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