专利名称：等离子体处理装置专利类型：发明专利发明人：节原裕一,江部明宪申请号：CN201080011018.1申请日：20100310公开号：CN102349356A公开日：20120208
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其能够在真空容器内形成强的感应电磁场，且能够防止天线导体的溅射或温度上升及颗粒的产生。本发明的等离子体处理装置(10)具备：真空容器(11)；高频天线(21)，其配置于所述真空容器(11)的壁的内面(111A)和外面(111B)之间；电介质制成的分隔件(16)，其将所述高频天线(21)和所述真空容器(11)的内部加以隔开。由此，与外部天线方式相比，能够在真空容器(11)内形成强感应电磁场。另外，利用分隔件(16)能够抑制由真空容器(11)内生成的等离子体引起的高频天线(21)被溅射或高频天线(21)的温度上升及颗粒产生。
申请人：EMD株式会社
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：雒运朴
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