专利名称：用于形成堆叠层的方法及其形成的器件专利类型：发明专利
发明人：林士尧,高魁佑,陈振平,林志翰申请号：CN202011169467.0申请日：20201028公开号：CN112750769A公开日：20210504
摘要：本公开涉及用于形成堆叠层的方法及其形成的器件。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽，其中，所述半导体衬底包括朝向所述沟槽的侧壁；以及沉积延伸至所述沟槽中的第一半导体层。所述第一半导体层包括位于所述沟槽的底部处的第一底部部分和位于所述半导体衬底的所述侧壁上的第一侧壁部分。去除所述第一侧壁部分以显露所述半导体衬底的所述侧壁。所述方法还包括：沉积延伸至所述沟槽中的第二半导体层，其中，所述第二半导体层包括位于所述第一底部部分之上的第二底部部分和与所述半导体衬底的所述侧壁接触的第二侧壁部分。去除所述第二侧壁部分以显露所述半导体衬底的所述侧壁。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：CN
代理机构：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人：陈蒙
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