专利名称：功率半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：金莹俊,禹赫,金台烨,赵汉信,朴泰泳,李珠焕申请号：CN201710413790.X申请日：20170605公开号：CN107464834A公开日：20171212
摘要：一种功率半导体器件及其制造方法，包括：栅电极，配置于基板的沟道内；第一导电型的主体区和第二导电型的源区，第一导电型的主体区在基板内配置于栅电极的一侧，第二导电型的源区在第一导电型的主体区内与栅电极相邻配置；第一导电型的浮动区，在基板内配置于栅电极的另一侧；第一导电型的边缘掺杂区，在基板内与第一导电型的浮动区分离配置并与源区电连接；第二导电型的边缘结隔离区，在基板内配置于第一导电型的浮动区与第一导电型的边缘掺杂区之间；以及第二导电型的漂移区，在基板内配置于第一导电型的浮动区、第一导电型的边缘掺杂区以及第二导电型的边缘结隔离区下方，边缘结隔离区的第二导电型掺杂浓度比漂移区的第二导电型掺杂浓度高。
申请人：奥特润株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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