ZnO、CuO和ZnS量子点薄膜的制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201010588318.8 （22）申请日 2010.12.07 （71）申请人 浙江大学

地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

（10）申请公布号 CN102086393A

（43）申请公布日 2011.06.08

（72）发明人 朱丽萍;胡亮;何海平;叶志镇 （74）专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公司

代理人 韩介梅

（51）Int.CI

C09K11/58; C09K11/56;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

ZnO、CuO和ZnS量子点薄膜的制备方法

（57）摘要

本发明涉及ZnO、CuO和ZnS量子点薄膜

的制备方法，步骤包括：制备Cu离子修饰的ZnO量子点沉淀、CuO量子点沉淀和ZnS量子点沉淀；在上述制得三种量子点沉淀中分别加入三氯甲烷使其充分溶解，再加入正辛胺分散剂，得到Cu离子修饰的ZnO胶体量子点溶液、CuO胶体量子点溶液和ZnS胶体量子点溶液；将上述三种胶

体量子点溶液分别用等量的三氯甲烷稀释，PTFE过滤器过滤，然后采用旋涂法将三种胶体量子点溶液中的一种或几种旋涂在ITO衬底上，预烘干后在空气中退火，得到量子点单层或多层薄膜。本发明制备工艺简单、旋涂的量子点薄膜不仅致密平整，附着性均良好，而且膜厚可控，易实现量子点多层结构，适合应用在多层量子点薄膜器件中。

法律状态

法律状态公告日

2011-06-08 2011-07-20 2012-12-26

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

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公开

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权利要求说明书

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说明书

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