习题 半导体中的电子状态
1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征。
1-4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。 1-5、某一维晶体的电子能带为
E(k)=E0[1−0.1cos(ka)−0.3sin(ka)]
其中E0=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求：
（1） 能带宽度；
（2） 能带底和能带顶的有效质量。
第一篇 题解 半导体中的电子状态
1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子的过
程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。
如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。
1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则
电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。 因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。
1-3、 解： 空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动
状态，是准粒子。主要特征如下：
A、荷正电：+q；
B、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）； C、EP=-En
D、mP*=-mn*。
1-4、 解：
（1） Ge、Si:
a）Eg (Si：0K) = 1.21eV；Eg (Ge：0K) = 1.170eV； b）间接能隙结构
c）禁带宽度Eg随温度增加而减小； （2） GaAs：
a）Eg（300K）= 1.428eV， Eg (0K) = 1.522eV； b）直接能隙结构；
c）Eg负温度系数特性： dEg/dT = -3.95×10-4eV/K；
1-5、 解：
（1） 由题意得：
dE
=0.1aE0[sin(ka)−3cos(ka)]dkdE2
=0.1a2E0[cos(ka)+3sin(ka)]2
dk
dE1
=0,得tg（ka）=dk3
∴k1a=18.4349o,k2a=198.4349o令
dE2
当k1a=18.4349,2=0.1a2E0(cos18.4349+3sin18.4349)=2.28×10−40>0,
dk
对应能带极小值；
o
dE2
当k2a=198.4349,2=0.1a2E0(cos198.4349+3sin198.4349)=−2.28×10−40<0,
dk
对应能带极大值。
o
则能带宽度ΔE=Emax−Emin=1.1384eV
（2）
−1−1
⎧−402⎡⎤⎡⎤⎛⎞2.28×10⎪mn*带底=⎢1⎜dE⎟⎥==1.925×10−27(kg)⎢⎥22⎜2⎟⎪h⎝dk⎠⎦6.625×10−34⎥⎢⎣⎣⎦k1⎪则⎨−1−1
−40⎤2⎪*⎡⎡1⎛dE⎞⎤−2.28×10−27
⎜⎟(kg)==m1.92510=−×⎪n带顶⎢2⎜2⎟⎥⎢⎥2−34
⎢⎥⎪⎣h⎝dk⎠⎦k⎣6.625×10⎦2⎩
-27
答：能带宽度约为1.1384Ev，能带顶部电子的有效质量约为1.925x10kg，能带底部电子的有效质量约为-1.925x10-27kg。
第二篇 习题-半导体中的杂质和缺陷能级
2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？
2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。
2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出p型半导体。
2-4、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。
2-5、两性杂质和其它杂质有何异同？
2-6、深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？
2-7、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？
第二篇 题解 半导体中的杂质与缺陷能级
2-1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将
成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。
2-2、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，
()()()()这种杂质就叫施主。
施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。
施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在Si中掺P，P为Ⅴ族元素， 本征半导体Si为Ⅳ族元素，P掺入Si中后，P的最外层电子有四个与Si的最外层四个
电子配对成为共价电子，而P的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主电离。
n型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带上方
2-3、解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时向价带提供空
穴，这种杂质就叫受主。
受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。
受主电离前带不带电，电离后带负电。
例如，在Si中掺B，B为Ⅲ族元素，而本征半导体Si为Ⅳ族元素，P掺入B中后，
B的最外层三个电子与Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而B倾向于接受一个由价带热激发的电子。这个过程就是受主电离。
p型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带下方
2-4、解：在纯净的半导体中掺入杂质后，可以控制半导体的导电特性。掺杂半导体又分为n型半导体和p型半导体。
例如，在常温情况下，本征Si中的电子浓度和空穴浓度均为1.5╳1010cm-3。当在Si中掺入1.0╳1016cm-3 后，半导体中的电子浓度将变为1.0╳1016cm-3，而空穴浓度将近似为2.25╳104cm-3。半导体中的多数载流子是电子，而少数载流子是空穴。
2-5、解：两性杂质是指在半导体中既可作施主又可作受主的杂质。如Ⅲ-Ⅴ族GaAs中掺Ⅳ族Si。如果Si替位Ⅲ族As，则Si为施主；如果Si替位Ⅴ族Ga，则Si为受主。所掺入的杂质具体是起施主还是受主与工艺有关。
2-6、解：深能级杂质在半导体中起复合中心或陷阱的作用。
浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用。
2-7、当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。
利用杂质补偿效应，可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。
第三篇 习题 半导体中载流子的统计分布
3-1、对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFn>EFi。 3-2、试分别定性定量说明：
（1） 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度越高； （2） 对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载流子浓度越高。
3-3、若两块Si样品中的电子浓度分别为2.25×1010cm-3和6.8×1016cm-3，试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置，并判断样品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，这两块样品的导电类型又将怎样？
3-4、含受主浓度为8.0×106cm-3和施主浓度为7.25×1017cm-3的Si材料，试求温度分别为300K和400K时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。
3-5、试分别计算本征Si在77K、300K和500K下的载流子浓度。
3-6、Si样品中的施主浓度为4.5×1016cm-3，试计算300K时的电子浓度和空穴浓度各为多少？
3-7、某掺施主杂质的非简并Si样品，试求EF=（EC+ED）/2时施主的浓度。
第三篇 题解 半导体中载流子的统计分布
3-1、证明：设nn为n型半导体的电子浓度，ni为本征半导体的电子浓度。显然
nn> ni
⎛Ec−EFn⎞⎛Ec−EFi⎞
⎟⎜⎟expN即Nc⋅exp⎜−>⋅−c⎜⎟⎜k0T⎟k0T⎠⎝⎝⎠
则EFn>EFi
即
得证。
3-2、解：
(1) 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃迁所需的能量越小，所以
受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。 由公式
ni=NcNve
−
Eg2k0T
也可知道，温度不变而减少本征材料的禁带宽度，上式中的指数项将因此而增加，从而使得载流子浓度因此而增加。
（2）对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，受激发的载流子将因此而增加。由公式
⎛EF−EV⎞⎛Ec−EF⎞
⎟⎟⎜和p0=NVexp⎜n0=Nc⋅exp⎜−−⎟⎜k0T⎠k0T⎟⎠⎝⎝可知，这时两式中的指数项将因此而增加，从而导致载流子浓度增加。
3-3、解：由 n0p0=ni得
2
22⎧ni1.5×101010−3
1.010cm==×⎪p01=
n012.25×1010⎪⎨22
ni1.5×1010⎪3−3
p3.310cm==≈×0216⎪n6.810×02 ⎩
()()()()可见，
n01≈p01→本征半导体n02>p02→n型半导体
−EF−Evk0T
又因为 p0=Nve
，则
⎧⎛Nv⎞⎛1.1×1019⎞
⎪EF1=Ev+k0T⋅ln⎜⎜1.0×1010⎟⎟≈Ev+0.234eV⎟=Ev+0.026⋅ln⎜⎜p⎟
⎝⎠⎪⎝01⎠
⎨
⎛1.1×1019⎞Nn⎞⎪E=E+kT⋅ln⎛⎜0v⎜3.3×103⎟⎟=Ev+0.331eV⎟=Ev+0.026⋅ln⎜⎜p⎟⎪F2
⎝⎠⎝02⎠⎩ 16-3
假如再在其中都掺入浓度为2.25×10cm的受主杂质，那么将出现杂质补偿，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。
答：第一种半导体中的空穴的浓度为1.1x1010cm-3,费米能级在价带上方0.234eV处；第一种半导体中的空穴的浓度为3.3x103cm-3,费米能级在价带上方0.331eV处。掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质后，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。
3-4、解：由于杂质基本全电离，杂质补偿之后，有效施主浓度 则300K时，
ND=ND−NA≈7.25×1017cm−3
*
17−3
()n300K≈N=7.25×10cmD电子浓度 0
ni1.5×1010p0(300K)==≈3.11×102cm−3
17
n07.25×10空穴浓度
费米能级
()2
()⎛Nv⎞
EF=EV+k0T⋅ln⎜⎜p⎟⎟
⎝0⎠
⎡1.0×1019⎤
=Ev+0.026⋅ln⎢2⎥3.1110×⎣⎦=Ev+0.3896eV
在400K时，根据电中性条件 n0=p0+ND和 n0pp=ni
得到
2
()
*
⎧*2217
−++*4NNn−×+7.2510DDi⎪p==⎪02⎨22
1.0×1013ni⎪17−3
⎪n0=p=1.3795×108=7.249×10cm
p⎩
费米能级
()(7.25×10)2
172
+41.0×1013
()2
≈1.3795×108cm−3
()()()3
⎡⎤2400K⎞⎛⎢N(300K)×⎜⎟⎥v⎢⎝300K⎠⎥EF=Ev+k0T⋅ln⎢⎥
pp⎢⎥
⎢⎥⎣⎦3⎡⎤2400⎛⎞⎢1.1×1019×⎜⎟⎥⎢⎝300⎠⎥=Ev+0.026⋅ln⎢⎥17
×7.2510⎢⎥
⎢⎥⎣⎦
()=Ev+0.0819eV
答：300K时此材料的电子浓度和空穴浓度分别为7.25 x1017cm-3和3.11x102cm-3，费米能级在价带上方0.3896eV处；400 K时此材料的电子浓度和空穴浓度分别近似为为7.248 x1017cm-3和1.3795x108cm-3，费米能级在价带上方0.08196eV处。
3-5、解： 假设载流子的有效质量近似不变，则
⎛T⎞
由Nc(T)=Nc(300K)⋅⎜⎟
300K⎝⎠
3
2
⎛77K⎞19⎛77K⎞18−3
则Nc(77K)=Nc(300K)⋅⎜⎟=2.8×10⋅⎜⎟=3.758×10cm
⎝300K⎠⎝300K⎠
3
2
()32
())⎛500K⎞19⎛500K⎞19−3
Nc(500K)=Nc(300K)⋅⎜⎟=2.8×10⋅⎜⎟=6.025×10cm
⎝300K⎠⎝300K⎠
3
2
()32
(
⎛T⎞
由Nv(T)=Nv(300K)⋅⎜⎟
300K⎝⎠
3
2
⎛77K⎞19⎛77K⎞18−3
则Nv(77K)=Nv(300K)⋅⎜⎟=1.4304×10cm⎟=1.1×10⋅⎜
⎝300K⎠⎝300K⎠
3
2
()32
()
⎛500K⎞19⎛500K⎞19−3
Nv(500K)=Nv(300K)⋅⎜⎟=2.367×10cm⎟=1.1×10⋅⎜
⎝300K⎠⎝300K⎠
3
2
()32
()αT2
而Eg(T)=Eg(0)−且α=4.73×10−4，β=636
T+β(4.73×10−4)×772αT2
=1.21−=1.2061(eV)所以Eg(77K)=Eg(0)−
T+β77+636
(4.73×10−4)×3002αT2
Eg(300K)=Eg(0)−=1.21−=1.1615(eV)T+β300+636
4.73×10−4)×5002αT2(Eg(500K)=Eg(0)−=0.7437−=1.1059(eV)T+β500+636
Eg2k0T
n=NcNve所以，由 i
−
，有
−19
Eg1.2061×(1.602×10)⎧−−−23
⎪ni(77K)=NcNve2k0T=3.758×1018×1.4304×1018⋅e2×(1.38×10)×77≈1.159×10−20cm−3⎪
Eg1.1615×(1.602×10−39)⎪−−
⎪2k0T19199−32×(1.38×10−23)×300
==×××⋅≈×n(300K)NNe2.8101.110e3.510cm⎨icv
⎪Eg1.1059×(1.602×10−39)−−⎪2k0T19192×(1.38×10−23)×500
==×××⋅≈1.669×1014cm−3n(500K)NNe6.025102.36710e⎪icv
⎪⎩
答：77K下载流子浓度约为1.159×10-80cm-3，300 K下载流子浓度约为3.5×109cm-3，500K下载流子浓度约为1.669×1014cm-3。
3-6、解：在300K时，因为ND>10ni，因此杂质全电离
n0=ND≈4.5×1016cm-3
()()()(()()())()()ni1.5×10103−3
p0===5.0×10cm
n04.5×1016
16-3
答： 300K时样品中的的电子浓度和空穴浓度分别是4.5×10cm和5.0×103cm-3。
3-7、解：由于半导体是非简并半导体，所以有电中性条件
n0=ND+
2
()2
()Nce
−
Ec−EFk0T
=
ND
ED−EF
1+2ek0T
施主电离很弱时，等式右边分母中的“1”可以略去，NDk0T
e2
⎛NDE+ED1
+⋅k0T⋅ln⎜∴EF=C
⎜2N22⎝V即Nce
−
k0TEc−EF
ED−EF
=
⎞
⎟⎟⎠
而EF=则
1
(EC+ED)2ND=2Nc
答：ND为二倍NC。
第四篇 习题-半导体的导电性
4-1、对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。
4-2、何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？
4-3、试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。
n=niμn/μpp=niμp/μn
4-4、证明当µn≠µp，且电子浓度0，空穴浓度0时半导体的电导率有最小值，并推导σmin的表达式。
4-5、0.12kg的Si单晶掺有3.0×10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求出此材料的电导率。（Si单晶的密度为2.33g/cm3，Sb的原子量为121.8）
第四篇 题解-半导体的导电性
4-1、解：对于重掺杂半导体，在低温时，杂质散射起主体作用，而晶格振动散射与一般掺杂半导体的相比较，影响并不大，所以这时侯随着温度的升高，重掺杂半导体的迁移率反而增加；温度继续增加后，晶格振动散射起主导作用，导致迁移率下降。对一般掺杂半导体，由于杂质浓度较低，电离杂质散射基本可以忽略，起主要作用的是晶格振动散射，所以温度越高，迁移率越低。
4-2、解：迁移率是单位电场强度下载流子所获得的漂移速率。影响迁移率的主要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。
4-3、解：Si的电阻率与温度的变化关系可以分为三个阶段：
（1） 温度很低时，电阻率随温度升高而降低。因为这时本征激发极弱，可以忽略；载流子
主要来源于杂质电离，随着温度升高，载流子浓度逐步增加，相应地电离杂质散射也随之增加，从而使得迁移率随温度升高而增大，导致电阻率随温度升高而降低。 （2） 温度进一步增加（含室温），电阻率随温度升高而升高。在这一温度范围内，杂质已经
全部电离，同时本征激发尚不明显，故载流子浓度基本没有变化。对散射起主要作用的是晶格散射，迁移率随温度升高而降低，导致电阻率随温度升高而升高。
（3） 温度再进一步增加，电阻率随温度升高而降低。这时本征激发越来越多，虽然迁移率
随温度升高而降低，但是本征载流子增加很快，其影响大大超过了迁移率降低对电阻率的影响，导致电阻率随温度升高而降低。当然，温度超过器件的最高工作温度时，器件已经不能正常工作了。
4-4、证明：
dσdn
=0时σ有极值
dσ2d2ndσdn
而即
=
2ni2n3
qμp>0,故σ有极小值
ni2n2
=qμn−
ni2n
qμp=0
所以n=niμp/μn
p=
=niμn/μp
有σ=σmin=2niqμpμn
得证。
4-5、解：
0.12×1000
Si的体积V==51.502cm3
2.33
3.0×10−9×1000×6.025×1023
121.8∴ND=≈2.881×1017cm−322.556
故材料的电导率为
σ=nqμn=(6.579×1017)×(1.602×10−19)×520=24.04(Ω−1cm−1)
答：此材料的电导率约为24.04Ω-1cm-1。
第五篇 习题 非平衡载流子
5-1、何谓非平衡载流子？非平衡状态与平衡状态的差异何在？
5-2、漂移运动和扩散运动有什么不同？
5-3、漂移运动与扩散运动之间有什么联系？非简并半导体的迁移率与扩散系数之间有什么联系？
5-4、平均自由程与扩散长度有何不同？平均自由时间与非平衡载流子的寿命又有何不同？
()()()()5-5、证明非平衡载流子的寿命满足Δp(t)=Δp0e，并说明式中各项的物理意义。
5-6、导出非简并载流子满足的爱因斯坦关系。
5-7、间接复合效应与陷阱效应有何异同？
5-8、光均匀照射在6Ω⋅cm的n型Si样品上，电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1，样品寿命为8µs。试计算光照前后样品的电导率。
τ−
t
ndEF
j=nμn
dx。 5-9、证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为
5-10、假设Si中空穴浓度是线性分布，在4µm内的浓度差为2×1016cm-3，试计算空穴的扩散电流密度。
5-11、试证明在小信号条件下，本征半导体的非平衡载流子的寿命最长。
第五篇 题解-非平衡载流子
5-1、解：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。通常所指的非平衡载流子是指非平衡少子。
热平衡状态下半导体的载流子浓度是一定的，产生与复合处于动态平衡状态
，跃迁引起的产生、复合不会产生宏观效应。在非平衡状态下，额外的产生、复合效应会在宏观现象中体现出来。
5-2、解：漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动，而扩散运动是由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度底的方向的定向运动。前者的推动力是外电场，后者的推动力则是载流子的分布引起的。
5-3、解：漂移运动与扩散运动之间通过迁移率与扩散系数相联系。而非简并半导体的迁移率与扩散系数则通过爱因斯坦关系相联系，二者的比值与温度成反比关系。即
qμ=
Dk0T
5-4、答：平均自由程是在连续两次散射之间载流子自由运动的平均路程。而扩散长度则是非平衡载流子深入样品的平均距离。它们的不同之处在于平均自由程由散射决定，而扩散长度由扩散系数和材料的寿命来决定。
平均自由时间是载流子连续两次散射平均所需的自由时间，非平衡载流子的寿命是指非平衡载流子的平均生存时间。前者与散射有关，散射越弱，平均自由时间越长；后者由复合几率决定，它与复合几率成反比关系。
5-5、证明：
d[Δp(t)]单位时间内非平衡载流子的减少数=−
dtΔp
而在单位时间内复合的非平衡载流子数=
τp
如果在t=0时刻撤除光照
则在单位时间内减少的非平衡载流子数=在单位时间内复合的非平衡载流子数，即
d[Δp(t)]Δp−=⎯⎯→(1)dtτp
在小注入条件下，τ为常数，解方程（1），得到
Δp(t)=Δp(0)e
−
t
τp
⎯⎯→(2)
式中，Δp（0）为t=0时刻的非平衡载流子浓度。此式表达了非平衡载流子随时间呈指数衰减的规律。
得证。
5-6、证明：假设这是n型半导体，杂质浓度和内建电场分布入图所示
E内
稳态时，半导体内部是电中性的，
Jn=0
即
dn−Dnq−nqμnEx=0→(1)dx
对于非简并半导体
Ec(x)=Ec(0)+(−q)V(x)→(2)所以n(x)=Nc⋅e由(3)⇒
由(1)⇒
−
Ec(x)−EF
k0T
qV(x)=n(0)⋅e
k0T
→(3)dn(x)qdV(x)=⋅⋅n(x)→(4)dxk0Tdx
这就是非简并半导体满足的爱因斯坦关系。
得证。
5-7、答：间接复合效应是指非平衡载流子通过位于禁带中特别是位于禁带中央的杂质或缺陷能级Et而逐渐消失的效应，Et的存在可能大大促进载流子的复合；陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级Et中，使在Et上的电子或空穴的填充情况比热平衡时有较大的变化，从引起Δn≠Δp，这种效应对瞬态过程的影响很重要。此外，最有效的复合中心在禁带中央，而最有效的陷阱能级在费米能级附近。一般来说，所有的杂质或缺陷能级都有某种程度的陷阱效应，而且陷阱效应是否成立还与一定的外界条件有关。
5-8、解：光照前
⎛μn⎞⎛dV(x)⎞dn(x)μμndV(x)⎟()nx⋅−⋅=⋅⋅n(x)→(5)=−n⋅Ex⋅n(x)=⎜−⎜⎟⎟⎜dxDndx⎠Dndx⎝Dn⎠⎝
(4)式=(5)式⇒μn=q
Dnk0T
16−19−1−1
()()()σ=σ+Δσ=σ+Δp⋅q⋅μ=1.167+3.2×101.6×10490=3.51Ω⋅cm00p则
1
≈1.167Ω−1⋅cm−1
ρ06 21-617-3
光照后 Δp=Gτ=（4×10）（8×10）=3.2×10 cm
σ0=
1
=
()
答：光照前后样品的电导率分别为1.167Ω-1cm-1和3.51Ω-1cm-1。
5-9、证明：对于非简并的非均匀半导体
由于
dn
j=(jn)扩+(jn)漂=nqμnE+qDn
dx
n=Nc⋅e
则
E[（−qV(x)]−EFnc0）−
k0T
n
dVdEFq+
dndx=n⋅dxdxk0T
同时利用非简并半导体的爱因斯坦关系，所以
j=nqμnE+qDn
dn
dx
⎞⎟⎟⎟⎟⎠
n
⎛dVdEF⎜q+
dVk0T⎜dx+q（μn⋅ =nqμ（））n⋅dxn−dxq⎜k0T
⎜⎝
得证。
5-10、解：
dE
=nμn⋅F
dx
n
(j)dp
p扩
dx
⎛k0T⎞dp
=−q⎜⎟dx⎜μnq⎟
⎠⎝
=−qDp
答：空穴的扩散电流密度为7.15╳10-5A/m2。
5-11、证明：在小信号条件下，本征半导体的非平衡载流子的寿命
−19
⎛0.026×1.602×10
=−1.6×10−19⎜−19⎜0.055×1.6×10⎝ =−7.15×10−5A/m2
()()⎞2×10⎟
⎟⎠
×108
4×10−6
16
()τ≈
而 n0+p0≥2n0p0=2ni
11
=
r(n0+p0)2rni
所以
τ≤
本征半导体的非平衡载流子的寿命最长。
得证。
第六篇习题-金属和半导体接触
6-1、什么是功函数？哪些因数影响了半导体的功函数？什么是接触势差？
6-2、什么是Schottky势垒？影响其势垒高度的因数有哪些？
6-3、什么是欧姆接触？形成欧姆接触的方法有几种？试根据能带图分别加以分析。
6-4、什么是镜像力？什么是隧道效应？它们对接触势垒的影响怎样的？
6-5、施主浓度为7.0×1016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.20eV，Si的电子亲和能为4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。
6-6、分别分析n型和p型半导体形成阻挡层和反阻挡层的条件。
6-7、试分别画出n型和p型半导体分别形成阻挡层和反阻挡层的能带图。
6-8、什么是少数载流子注入效应？
6-9、某Shottky二极管，其中半导体中施主浓度为2.5×1016cm-3，势垒高度为0.64eV，加上4V的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？
6-10、试根据能带图定性分析金属-n型半导体形成良好欧姆接触的原因。
第六篇 题解-金属和半导体接触
6-1、答：功函数是指真空电子能级E0与半导体的费米能级EF之差。影响功函数的因素是掺杂浓度、温度和半导体的电子亲和势。
接触势则是指两种不同的材料由于接触而产生的接触电势差。
6-2、答：金属与n型半导体接触形成阻挡层，其势垒厚度随着外加电压的变化而变化，这就是Schottky势垒。影响其势垒高度的因素是两种材料的功函数，影响其势垒厚度的因素则是材料（杂质浓度等）和外加电压。
6-3、答：欧姆接触是指其电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触。形成欧姆接触的常用方法有两种，其一是金属与重掺杂n型半导体形成能产生隧道效应的薄势垒层，其二是金属与p型半导体接触构成反阻挡层。其能带图分别如下：
12rni
6-4、答：金属与半导体接触时，半导体中的电荷在金属表面感应出带电符号相反的电荷，同时半导体中的电荷要受到金属中的感应电荷的库仑吸引力，这个吸引力就称为镜像力。
能量低于势垒顶的电子有一定几率穿过势垒，这种效应就是隧道效应。隧道穿透的几率与电子的能量和势垒厚度有关。
在加上反向电压时，上述两种效应将使得金属一边的势垒降低，而且反向电压越大势垒降得越低，从而导致反向电流不饱和。
6-5、解：金属与半导体接触前、后能带图如图所示
Q n0=Nc⋅e
E−nk0T
⎛Nc⎞
∴ En=k0T⋅ln⎜⎜n⎟⎟
⎝0⎠
⎛2.8×1019
=0.026⋅ln⎜⎜7×1016
⎝ =0.1558(eV)
⎞⎟⎟⎠
则
Vs=
Ws−Wm
q
(χ+En)−Wm
=
q
=(4.05+0.1558)−4.3
=−0.0942(V)
答：半导体的表面势为 –0.0942 V。
6-6、解：
（1） 金属与n半导体接触形成阻挡层的条件是Wm>Ws,其接触后的能带图如图所示：
金属与n半导体接触形成反阻挡层的条件是Wm 6-8、答：当金属与n型半导体形成整流接触时，加上正向电压，空穴从金属流向半导体的现象就是少数载流子注入效应。它本质上是半导体价带顶附近的电子流向金属中金属费米能级以下的空能级，从而在价带顶附近产生空穴。小注入时，注入比（少数载流子电流与总电流直之比）很小；在大电流条件下，注入比随电流密度增加而增大。 6-9、解： xD== 2εrε0(V−VD)qND 2×11.98.854×10−12(4−0.64)1.6×10−192.5×1016 (()())≈4.2×10−3(m) -3 答：势垒的宽度约为4.2×10m。 6-10、解：当金属和半导体接触接触时，如果对半导体的掺杂很高，将会使得势垒区的宽度变得很薄，势垒区近似为透明，当隧道电流占主要地位时，其接触电阻很小，金属与半导体接触近似为欧姆接触。加上正、反向电压时的能带图如下图所示： 7-1、解： 第七篇 题解-半导体表面与MIS结构 而εrε0dQQC=⎯⎯→(1)(2)因为C==mm→od0dVGVodQm⎯⎯→(3)dVs Cs= 又因为 VG=Vs+V0 ∴C=dQmdQm11===dVsdVo11dVGdVs+dVo++dQmdQmCoCs 111所以=+→(4)CCoCs 7-3、解： （1） 表面积累：当金属表面所加的电压使得半导体表面出现多子积累时，这就是表面积累， 其能带图和电荷分布如图所示： （2） 表面耗尽：当金属表面所加的电压使得半导体表面载流子浓度几乎为零时，这就是表 面耗尽，其能带图和电荷分布如图所示： （3）当金属表面所加的电压使得半导体表面的少子浓度比多子浓度多时，这就是表面反型，其能带图和电荷分布如图所示： 7-3、解：理想MIS结构的高频、低频电容-电压特性曲线如图所示； 其中AB段对应表面积累，C到D段为表面耗尽，GH和EF对应表面反型。 7-4、解：使半导体表面达到强反型时加在金属电极上的栅电压就是开启电压。 ∴VT=Vo+2VB=−这时半导体的表面势 Vs=2VB ⎛Qs⎞⎡2k0T⎛NA⎞⎤=⎜⎜n⎟⎟⎥⎜−C⎟⎟+⎢qln⎜ O⎠⎝i⎠⎦ ⎝⎣ 7-5、答：当MIS结构的半导体能带平直时，在金属表面上所加的电压就叫平带电容。平带电压是度量实际MIS结构与理想MIS结构之间的偏离程度的物理量，据此可以获得材料功函数、界面电荷及分布等材料特性参数。 7-6、解：影响MIS结构平带电压的因素分为两种： （1）金属与半导体功函数差。例如，当Wm VFB1=−Vms=Wm−Wsq恢复平带在金属上所加的电压就是 （2）界面电荷。假设在SiO2中距离金属- SiO2界面x处有一层正电荷，将导致C-V特性向负栅压方向移动。如图 ∴VFB21=−Co∫do0xρ(x)dxdo恢复平带在金属上所加的电压就是 在实际半导体中，这两种因素都同时存在时，所以实际MIS结构的平带电压为 平带电压VFB=VFB1+VFB2⎛Wm−Ws⎞⎛1+⎜−=⎜⎟⎟⎜⎜∫doxρ(x)⎞dx⎟⎟⎝q⎠ ⎝Co0do⎠ 因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容