专利名称：一种高首效硅碳负极材料及其制备方法、锂离子电
池
专利类型：发明专利发明人：孙宇星,吴清国申请号：CN202010408982.3申请日：20200514公开号：CN111640919A公开日：20200908
摘要：本发明公开了一种高首效硅碳负极材料及其制备方法、锂离子电池，涉及锂离子电池技术领域，硅碳负极材料的制备方法包括步骤S1备料、S2混合、S3烧结，所述S1备料包括S1.1硅料制备和S1.2碳料制备，所述S1.1硅料制备的具体过程如下：将硅粉、氧化亚硅粉和还原剂混合，并进行砂磨、烘干，得到硅料，所述硅粉占硅粉和氧化亚硅粉总质量20‑50wt%，所述还原剂为水溶性有机物且占硅粉和氧化亚硅粉总质量的10‑20wt%。还原剂起到抑制二氧化硅生成的作用，提高负极材料的首次充放电效率，且还原剂在S3烧结过程中也可作为碳源的一部分进行包覆，提高一定优势的电化学性能，且会和硅表面反应，减小硅的比表面积，从而提高首效。
申请人：浙江金鹰新能源技术开发有限公司
地址：316000 浙江省舟山市定海区盐仓街道鸭老路1号B区
国籍：CN
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容